[发明专利]半导体结构及其制备方法

说明书

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。其中，半导体结构的制备方法，包括：提供基底；在基底内形成多个间隔排布的接触孔；在接触孔内形成接触材料层；在接触材料层和基底上形成位线材料层；去除部分位线材料层和部分接触材料层，以形成位线结构,位线结构包括剩余的位线材料层构成的位线层以及剩余的接触材料层构成的接触层，接触层位于接触孔内，位线层跨越接触孔以及接触孔外的基底。本发明可以有效降低位线结构的高度，从而有效防止位线结构在之后的制成过程中倾斜或倒塌。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

在半导体存储器件制程中，位线通常通过干法刻蚀形成。在干法刻蚀形成形成位线后，可以通过湿法清洗来去除干法刻蚀造成的一系列有机物。

然而，在湿法清洗过程中，由于溶液的流动，位线之间会有张力存在。张力很容易造成位线倾斜、倒塌现象。

发明内容

基于此，有必要针对在湿法清洗中张力很容易造成位线倾斜、倒塌的问题，提供一种半导体结构及其制备方法。

一种半导体结构的制备方法，包括：

提供基底；

在所述基底内形成多个间隔排布的接触孔；

在所述接触孔内形成接触材料层；

在所述接触材料层和所述基底上形成位线材料层；

去除部分所述位线材料层和部分所述接触材料层，以形成位线结构,所述位线结构包括剩余的所述位线材料层构成的位线层以及剩余的所述接触材料层构成的接触层，所述接触层位于所述接触孔内，所述位线层跨越所述接触孔以及所述接触孔外的所述基底。

在其中一个实施例中，所述在所述基底上形成多个间隔排布的接触孔，包括：

在所述基底上形成介质材料层；

在所述介质材料层上形成第一图形化掩膜层；

基于第一图形化掩膜层，对所述介质材料层和所述基底进行刻蚀，去除部分所述介质材料层和部分所述基底，形成所述接触孔。

在其中一个实施例中，所述在所述接触孔内形成接触材料层之前，包括：

去除保留的所述介质材料层。

在其中一个实施例中，所述去除部分所述位线材料层和部分所述接触材料层，以形成位线结构包括：

在所述位线材料层上形成第二图形化掩膜层；

基于第二图形化掩膜层，对所述位线材料层和所述接触材料层进行刻蚀，去除部分所述位线材料层和部分所述接触材料层，以形成所述位线结构。

在其中一个实施例中，

所述基底具有相邻的阵列区域和外围区域，所述在所述基底上形成多个间隔排布的接触孔，包括：

在所述基底上形成外围功能材料层；

去除所述阵列区域的所述外围功能材料层；

在所述阵列区域的基底上形成所述接触孔。

在其中一个实施例中，所述外围功能材料层包括多晶硅层，所述去除所述阵列区域的所述外围功能材料层，包括：

在所述阵列区域的多晶硅层上形成注入阻挡层；

基于所述注入阻挡层，对所述外围区域的所述多晶硅层进行离子注入，形成掺杂多晶硅；

去除所述注入阻挡层；

去除所述阵列区域的未掺杂的所述多晶硅层，且保留所述外围区域的所述掺杂多晶硅。