[发明专利]互连结构、半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110734479.1 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113809046A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 邱德馨;赖韦安;沈孟弘;林威呈;曾健庭;萧锦涛 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种互连结构、半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；第一金属线，位于所述衬底上方并且沿第一方向延伸；保护层，衬垫所述第一金属线的侧壁；第二金属线，位于所述第一金属线上并且沿所述第一方向延伸；第三金属线，位于所述第二金属线上方并且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 半导体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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