[发明专利]互连结构、半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底；

第一金属线，位于所述衬底上方并且沿第一方向延伸；

保护层，衬垫所述第一金属线的侧壁；

第二金属线，位于所述第一金属线上并且沿所述第一方向延伸；以及

第三金属线，位于所述第二金属线上方，沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括连接到所述第二金属线的底部的第一导电通孔，其中，所述第一导电通孔与所述保护层直接接触。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括连接到所述第一金属线的底表面的第二导电通孔，其中，所述第一导电通孔的高度大于所述第二导电通孔的高度。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一导电通孔覆盖所述保护层的顶表面的至少部分。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，在俯视图中，所述保护层与所述第二金属线重叠。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述保护层包括电绝缘材料。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二金属线的底表面和所述第一金属线的顶表面之间的垂直间隔在6nm至15nm的范围内。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括连接到所述第一金属线的顶表面的第三导电通孔，其中，所述第三导电通孔的部分位于所述第二金属线的顶表面上方。

9.一种互连结构，包括：

衬底；

第一绝缘层，位于所述衬底上方；

多个第一金属线，位于所述第一绝缘层的第一水平处，其中，所述多个第一金属线中的每个沿第一方向延伸；以及

多个第二金属线，其中所述多个第二金属线中的每个沿第一方向延伸并且位于所述第一水平上方的所述第一绝缘层的第二水平处，所述多个第一金属线中的第一金属线和所述多个第二金属线中的第二金属线以交错的方式布置，所述第一绝缘层的第一部分位于所述多个第二金属线中的每个的底表面与所述多个第一金属线中的每个的顶表面之间，所述第一部分的高度在6nm至15nm的范围内。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

在衬底上方沉积第一绝缘材料，其中，所述衬底包括有源区；

蚀刻所述第一绝缘材料，以在所述第一绝缘材料的第一水平上限定沿第一方向延伸的第一凹槽；

沉积衬垫所述第一凹槽的侧壁的第二绝缘材料；以及

在所述第一凹槽中沉积第一金属线。