[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构在审
| 申请号： | 202110729394.4 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113506728A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 杨康;张高升;罗兴安 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该制作方法包括：提供基底结构；在基底结构上形成多个间隔的牺牲部；在牺牲部上以及基底结构上形成介质层，其中，牺牲部的材料与介质层的材料不发生反应；去除部分介质层，形成多个间隔设置的侧墙，牺牲部的两侧分别设置有一个侧墙；去除牺牲部。本申请的半导体结构的制作方法中，介质层的材料与牺牲部的材料不发生反应，这样较好地避免了介质层材料损伤牺牲部侧壁的问题，保证了图案垂直往下转移，从而保证了图案转移过程中的完整度较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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