[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构

说明书

本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该制作方法包括：提供基底结构；在基底结构上形成多个间隔的牺牲部；在牺牲部上以及基底结构上形成介质层，其中，牺牲部的材料与介质层的材料不发生反应；去除部分介质层，形成多个间隔设置的侧墙，牺牲部的两侧分别设置有一个侧墙；去除牺牲部。本申请的半导体结构的制作方法中，介质层的材料与牺牲部的材料不发生反应，这样较好地避免了介质层材料损伤牺牲部侧壁的问题，保证了图案垂直往下转移，从而保证了图案转移过程中的完整度较好。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。

背景技术

现有技术中，一般采用SOC(Spinon on Carbon，旋涂式碳)作为牺牲层的材料，并在牺牲层上沉积氧化物，来进行图案转移，实现对光刻图形的空间倍频。然而，在沉积过程中，氧化物中的氧plasma(等离子体)会损伤SOC侧壁，造成图案不能垂直转移。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，以解决现有技术中图案不能垂直转移的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底结构；在所述基底结构上形成多个间隔的牺牲部；在所述牺牲部上以及所述基底结构上形成介质层，其中，所述牺牲部的材料与所述介质层的材料不发生反应；去除部分所述介质层，形成多个间隔设置的侧墙，所述牺牲部的两侧分别设置有一个所述侧墙；去除所述牺牲部。

可选地，在所述牺牲部上以及所述基底结构上形成介质层，包括：使用原子层沉积技术在所述牺牲部上以及所述基底结构上形成所述介质层。

可选地，在所述基底结构上形成多个间隔的牺牲部，包括：在所述基底结构上形成第一子牺牲层；在所述第一子牺牲层上形成第二子牺牲层；去除部分的所述第一子牺牲层以及部分的所述第二子牺牲层，形成各所述牺牲部。

可选地，所述第一子牺牲层的材料包括非晶硅。

可选地，所述第二子牺牲层为先进曝光图样薄膜(APF，Advanced PatterningFilm)。

可选地，在所述第一子牺牲层上形成第二子牺牲层之后，在去除部分的所述第一子牺牲层以及部分的所述第二子牺牲层，形成各所述牺牲部之前，所述方法还包括：在所述第二子牺牲层上形成底部抗反射涂层(BARC，Bottom Anti-Reflective Coatings)，去除部分的所述第一子牺牲层以及部分的所述第二子牺牲层，形成各所述牺牲部，包括：去除部分的所述底部抗反射涂层、部分的所述第二子牺牲层以及部分的所述第一子牺牲层，形成依次层叠的底部抗反射部以及所述牺牲部；去除所述底部抗反射部。

可选地，提供基底结构，包括：提供衬底；在所述衬底上形成硬掩膜层。

可选地，在去除各所述牺牲部之后，所述方法还包括：以各所述侧墙为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，使得各所述侧墙两侧的所述衬底裸露，形成多个间隔的掩膜部。

可选地，所述介质层的材料包括碳。

为了实现上述目的，根据本申请的另一个方面，提供了一种半导体结构，所述半导体结构为采用任一种所述的方法得到的。