[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构在审
| 申请号： | 202110729394.4 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113506728A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 杨康;张高升;罗兴安 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 以及 | ||
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底结构；
在所述基底结构上形成多个间隔的牺牲部；
在所述牺牲部上以及所述基底结构上形成介质层，其中，所述牺牲部的材料与所述介质层的材料不发生反应；
去除部分所述介质层，形成多个间隔设置的侧墙，所述牺牲部的两侧分别设置有一个所述侧墙；
去除所述牺牲部。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述牺牲部上以及所述基底结构上形成介质层，包括：
使用原子层沉积技术在所述牺牲部上以及所述基底结构上形成所述介质层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底结构上形成多个间隔的牺牲部，包括：
在所述基底结构上形成第一子牺牲层；
在所述第一子牺牲层上形成第二子牺牲层；
去除部分的所述第一子牺牲层以及部分的所述第二子牺牲层，形成各所述牺牲部。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一子牺牲层的材料包括非晶硅。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二子牺牲层为先进曝光图样薄膜。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
在所述第一子牺牲层上形成第二子牺牲层之后，在去除部分的所述第一子牺牲层以及部分的所述第二子牺牲层，形成各所述牺牲部之前，所述方法还包括：
在所述第二子牺牲层上形成底部抗反射涂层，
去除部分的所述第一子牺牲层以及部分的所述第二子牺牲层，形成各所述牺牲部，包括：
去除部分的所述底部抗反射涂层、部分的所述第二子牺牲层以及部分的所述第一子牺牲层，形成依次层叠的底部抗反射部以及所述牺牲部；
去除所述底部抗反射部。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供基底结构，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成硬掩膜层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在去除各所述牺牲部之后，所述方法还包括：
以各所述侧墙为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，使得各所述侧墙两侧的所述衬底裸露，形成多个间隔的掩膜部。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述介质层的材料包括碳。
10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为采用权利要求1至9中任一项所述的方法得到的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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