[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110727861.X | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113506783A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/498;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供的半导体结构及其制造方法，通过介电材料热胀冷缩的变异量，进而阻挡定位并校正电子组件的位移。具体地，在黏晶(Die Bond)之前，先利用加热扩大介电材料所形成的通孔的孔径，再利用冷却缩小该通孔的孔径，进而阻挡定位并校正电子组件的位移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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