[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本公开提供的半导体结构及其制造方法，通过介电材料热胀冷缩的变异量，进而阻挡定位并校正电子组件的位移。具体地，在黏晶(Die Bond)之前，先利用加热扩大介电材料所形成的通孔的孔径，再利用冷却缩小该通孔的孔径，进而阻挡定位并校正电子组件的位移。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

目前，在内埋电子组件时，拾取放置机器(PickPlace Machine)的精度会导致电子组件偏移(shift)、倾斜(tilt)或旋转(rotate)等现象，这将影响到后续线路或其他制程的良率。除了改良PickPlace的机台能力外，还可以通过一些不同的制程方式，对电子组件进行校正对位。

发明内容

本公开提供了半导体结构及其制造方法。

第一方面，本公开提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：基板，具有通孔；电子组件，设于通孔中，电子组件与通孔的局部壁面接触。

在一些可选的实施方式中，局部壁面上具有凸起物，凸起物与电子组件接触。

在一些可选的实施方式中，凸起部设有与基板的一表面过渡连接的斜面。

在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：介电层，包覆基板和电子组件，介电层具有相对的第一表面和第二表面。

在一些可选的实施方式中，基板上设有基板线路层。

在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：第一线路层，设于第一表面上，第一线路层分别与基板线路层和电子组件电性连接。

在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：第一阻焊层，设于第一线路层上，第一阻焊层具有第一开孔，从第一开孔暴露出的第一线路层构成第一导电衬垫。

在一些可选的实施方式中，第一线路层为重布线结构。

在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：第二线路层，设于第二表面上，第二线路层与第一线路层电性连接。

在一些可选的实施方式中，该半导体结构还包括：第二阻焊层，设于第二线路层上，第二阻焊层具有第二开孔，从第二开孔暴露出的第二线路层构成第二导电衬垫。

第二方面，本公开提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：在基板上设置通孔；对基板进行加热，并将电子组件设于通孔内；对基板进行冷却，以使电子组件接触通孔的局部内壁。

在一些可选的实施方式中，该方法还包括：设置包覆基板和电子组件的介电层，介电层具有相对的第一表面和第二表面。

在一些可选的实施方式中，在对基板进行加热之前，该方法还包括：在基板设置基板线路层。

在一些可选的实施方式中，在对基板进行加热之前，该方法还包括：在局部内壁上设置凸出部。

在一些可选的实施方式中，该方法还包括：在第一表面依次设置第一线路层和第一阻焊层，并使第一线路层分别电性连接基板线路层与电子组件；在第一阻焊层上设置第一开孔，从第一开孔暴露出的第一线路层构成第一导电衬垫。

在一些可选的实施方式中，该方法还包括：在第二表面依次设置第二线路层和第二阻焊层；在第二阻焊层上设置第二开孔，从第二开孔暴露出的第二线路层构成第二导电衬垫。

在一些可选的实施方式中，该方法还包括：形成贯穿基板的导通孔，以电性连接第一线路层和第二线路层。