[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110727861.X | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113506783A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/498;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
基板，具有通孔；
电子组件，设于所述通孔中，所述电子组件与所述通孔的局部壁面接触。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述局部壁面上具有凸起物，所述凸起物与所述电子组件接触。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述凸起部设有与所述基板的一表面过渡连接的斜面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
介电层，包覆所述基板和所述电子组件，所述介电层具有相对的第一表面和第二表面。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述基板上设有基板线路层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
第一线路层，设于所述第一表面上，所述第一线路层分别与所述基板线路层和所述电子组件电性连接。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
第一阻焊层，设于所述第一线路层上，所述第一阻焊层具有第一开孔，从所述第一开孔暴露出的第一线路层构成第一导电衬垫。
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述第一线路层为重布线结构。
9.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
第二线路层，设于所述第二表面上，所述第二线路层与所述第一线路层电性连接。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括：
第二阻焊层，设于所述第二线路层上，所述第二阻焊层具有第二开孔，从所述第二开孔暴露出的第二线路层构成第二导电衬垫。
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