[发明专利]一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法有效
| 申请号: | 202110714182.9 | 申请日: | 2021-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN113539871B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
| 发明(设计)人: | 王红芳;徐卓;赵学玲;潘明翠;陈志军;田思;李锋;史金超;李倩 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司;英利能源发展有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 河北国维致远知识产权代理有限公司 13137 | 代理人: | 任青 |
| 地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法,该检测方法包括如下步骤:采取相同镀膜工艺下不同时间点完成的镀膜硅片,烧结得半成品;分别对半成品进行PL和隐性开路电压测试,或PL和饱和电流密度测试,或PL和隐性开路电压、饱和电流密度测试;根据测试结果评估不同时间点所述链式PECVD镀膜工艺的稳定性;其中,不同时间点的镀膜硅片前端各工序工艺保持一致;不同时间点中至少一个时间点选自整个镀膜工艺周期的0‑3/5时间段内;各半成品进行PL、隐性开路电压、饱和电流密度测试的条件保持一致。该检测方法通过对半成品进行测试,能够方便、快捷、直观地体现链式PECVD镀膜工艺稳定性,节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 链式 pecvd 镀膜 工艺 稳定性 检测 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利能源(中国)有限公司;英利能源发展有限公司,未经英利能源(中国)有限公司;英利能源发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110714182.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种虾壳烘干箱
- 下一篇:确定DCI长度的方法、装置、网络设备以及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





