[发明专利]一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法有效
| 申请号: | 202110714182.9 | 申请日: | 2021-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN113539871B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
| 发明(设计)人: | 王红芳;徐卓;赵学玲;潘明翠;陈志军;田思;李锋;史金超;李倩 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司;英利能源发展有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 河北国维致远知识产权代理有限公司 13137 | 代理人: | 任青 |
| 地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 链式 pecvd 镀膜 工艺 稳定性 检测 方法 | ||
本发明涉及一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法,该检测方法包括如下步骤:采取相同镀膜工艺下不同时间点完成的镀膜硅片,烧结得半成品;分别对半成品进行PL和隐性开路电压测试,或PL和饱和电流密度测试,或PL和隐性开路电压、饱和电流密度测试;根据测试结果评估不同时间点所述链式PECVD镀膜工艺的稳定性;其中,不同时间点的镀膜硅片前端各工序工艺保持一致;不同时间点中至少一个时间点选自整个镀膜工艺周期的0‑3/5时间段内;各半成品进行PL、隐性开路电压、饱和电流密度测试的条件保持一致。该检测方法通过对半成品进行测试,能够方便、快捷、直观地体现链式PECVD镀膜工艺稳定性,节约生产成本。
技术领域
本发明属于太阳能电池制备技术领域,尤其涉及一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法。
背景技术
太阳能电池制作过程中,PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学气相沉积法)是其中重要的一道工序,其目的是在硅片表面形成一层具有减反射及钝化作用的薄膜,该薄膜的效果会直接影响太阳能电池的光电转换效率,进而影响电池的性能及可靠性。
为保证PECVD镀膜效果,目前传统的方法是定期进行镀膜设备的维护,或辅以膜厚折射率测量、电池电参数波动数据。其中,定期进行镀膜设备的维护并不能直观地监控镀膜的实际效果,原因如下:1)可能还未到维护时间,但是镀膜效果已经变差,待到达维护时间这期间,镀膜效果较差的硅片已经流转至下一工序,最终得到的太阳能电池光电转换效率降低,不合格品增多,生产成本增加;2)可能虽然到达镀膜设备的维护时间,但镀膜效果依然很稳定,可以延长设备维护时长,节约成本。
膜厚折射率的测量,其本身就具有一定的范围要求,具有局限性,无法直观的反映镀膜钝化效果;电池电参数虽然能够直观反映镀膜效果,但是检测电池电参数用时较长,在镀膜完成后,仍需流转完成后工序的制备(如图1所示),最终对制得的太阳能电池进行性能检测才能得到电池电参数,如果电池电参数变差,说明镀膜效果差,而这期间,镀膜工艺仍在继续,会导致较多的不合格品生成,对应消耗较多高成本的辅材(如印刷电极栅线使用的银浆等),无形中使得生产成本增加。
为降低不合格镀膜硅片的流转,节约生产成本,急需一种能够随时、准确地监控PECVD镀膜效果的方法。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法,该方法不仅能够方便快捷,直观地体现PECVD镀膜工艺的稳定性,而且可随时、准确地监控镀膜设备运行状态,可有效降低不合格镀膜硅片的流转,节约生产成本。
为达到上述发明目的,本发明实施例采用了如下的技术方案:
一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法,包括如下步骤:
采取相同的镀膜工艺下不同时间点完成的镀膜硅片,烧结得半成品;
分别对半成品进行PL(Photo Luminescence)和隐性开路电压(iVoc)测试,或PL和饱和电流密度(J0)测试,或PL和隐性开路电压(iVoc)、饱和电流密度(J0)测试;
根据测试结果评估不同时间点所述链式PECVD镀膜工艺的稳定性;
其中,不同时间点的镀膜硅片前端各工序工艺保持一致;
不同时间点中至少一个时间点选自整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内;
各半成品进行PL、隐性开路电压、饱和电流密度测试的条件保持一致。
PL测试即光致发光测试。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





