[发明专利]一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法

权利要求书

1.一种链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

采取相同镀膜工艺下不同时间点完成的镀膜硅片，烧结得半成品；

分别对所述半成品进行PL和隐性开路电压测试，或PL和饱和电流密度测试，或PL和隐性开路电压、饱和电流密度测试；

根据测试结果评估不同时间点所述链式PECVD镀膜工艺的稳定性；

其中，不同时间点的镀膜硅片前端各工序工艺保持一致；

不同时间点中至少一个时间点选自整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内；

各半成品进行PL、隐性开路电压、饱和电流密度测试的条件保持一致；

当各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且烧结后硅片的边缘与中心的隐性开路电压值均相差10mV及以上；或各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且烧结后硅片的边缘与中心的饱和电流密度值均相差5fA/cm²及以上时，判断链式PECVD镀膜工艺不稳定性；

当各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差小于等于10％，且烧结后硅片的边缘与中心的隐性开路电压值均相差10mV以内；或各时间点得到的PL图像整体亮度均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差小于等于10％，烧结后硅片的边缘与中心的饱和电流密度值均相差5fA/cm²以内时，判断链式PECVD镀膜工艺稳定；

当各时间点得到的PL图像整体亮度不均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且只有烧结后硅片的边缘或中心的隐性开路电压值相差10mV及以上；或各时间点得到的PL图像整体亮度不均匀，整个镀膜工艺周期的0-3/5时间段内选取的时间点与其它时间点相比，PL图像亮度差大于10％，且只有烧结后硅片的边缘或中心的饱和电流密度值相差5fA/cm²及以上时，判断链式PECVD镀膜工艺稳定。

2.根据权利要求1所述的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，不同时间点完成的镀膜硅片进行烧结的工艺保持一致。

3.根据权利要求1或2所述的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，所述不同时间点选自整个镀膜工艺周期的0-3/5、3/5-4/5、4/5-1三个时间段内。

4.根据权利要求1或2所述的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，所述镀膜为氮化硅镀膜和/或氧化铝膜。

5.根据权利要求1所述的链式PECVD镀膜工艺稳定性的检测方法，其特征在于，所述镀膜为双面镀膜或单面镀膜。