[发明专利]提高碳化硅晶片平整度的退火方法在审
| 申请号： | 202110712354.9 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113584596A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 徐良;朱振佳;蓝文安;占俊杰;刘建哲;余雅俊;夏建白 | 申请（专利权）人： | 金华博蓝特电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 王志红 |
| 地址： | 321000 浙江省金华市婺城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种提高碳化硅晶片平整度的退火方法，包括以下步骤：S1:将碳化硅晶片置于退火炉内；S2:对所述退火炉抽真空，通入保护气体，保持所述退火炉内的压力稳定；S3:缓慢匀速的提升所述退火炉内温度至退火温度，控制所述退火炉内的温度梯度小于第一温度梯度值；S4:对所述碳化硅晶片施加压力并保持；S5:去除所述碳化硅晶片上的压力，继续进行保温；S6:缓慢匀速的将所述退火炉内温度降至室温，控制所述退火炉内的温度梯度小于第一温度梯度值。本发明中的退火方法既能减少碳化硅晶片内应力又能降低碳化硅晶片的BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度)，提高了碳化硅晶片的质量，为后续加工提供便利，提高了良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 碳化硅 晶片 平整 退火 方法 | ||
【主权项】：
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