[发明专利]提高碳化硅晶片平整度的退火方法在审
| 申请号： | 202110712354.9 | 申请日： | 2021-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113584596A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 徐良;朱振佳;蓝文安;占俊杰;刘建哲;余雅俊;夏建白 | 申请（专利权）人： | 金华博蓝特电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 王志红 |
| 地址： | 321000 浙江省金华市婺城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 碳化硅 晶片 平整 退火 方法 | ||
1.一种提高碳化硅晶片平整度的退火方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1:将碳化硅晶片置于退火炉内；
S2:对所述退火炉抽真空，通入保护气体，保持所述退火炉内的压力稳定；
S3:缓慢匀速的提升所述退火炉内温度至退火温度，控制所述退火炉内的温度梯度小于第一温度梯度值；
S4:对所述碳化硅晶片施加压力并保持；
S5:去除所述碳化硅晶片上的压力，继续进行保温；
S6:缓慢匀速的将所述退火炉内温度降至室温，控制所述退火炉内的温度梯度小于第一温度梯度值。
2.如权利要求1所述的提高碳化硅晶片平整度的退火方法，其特征在于，步骤S1包括：将碳化硅晶片堆叠于石墨平板上，相邻的两个碳化硅晶片之间用碳纸隔开，将堆叠好后的碳化硅晶片和石墨平板置于退火炉内。
3.如权利要求2所述的提高碳化硅晶片平整度的退火方法，其特征在于，所述石墨平板的总厚度偏差小于10微米，线性厚度变化小于2微米，所述石墨平板与所述碳化硅晶片接触面的表面粗糙度小于1微米。
4.如权利要求3所述的提高碳化硅晶片平整度的退火方法，其特征在于，所述石墨平板的面积大于所述碳化硅晶片的面积，所述碳纸的厚度至少50微米。
5.如权利要求1所述的提高碳化硅晶片平整度的退火方法，其特征在于，步骤S2中对所述退火炉抽真空直至真空度不小于100mbar。
6.如权利要求1所述的提高碳化硅晶片平整度的退火方法，其特征在于，步骤S2中的保护气体选自氮气或氩气，通入气体后，保持所述退火炉内压力保持在0.9-1.1个标准大气压力。
7.如权利要求1所述的提高碳化硅晶片平整度的退火方法，其特征在于，步骤S3缓慢匀速升温的升温速率为1-5℃/min。
8.如权利要求7所述的提高碳化硅晶片平整度的退火方法，其特征在于，当所述退火炉内温度高于900℃时，控制所述缓慢匀速升温的升温速率为1-2℃/min，所述退火温度为1200-1600℃，所述第一温度梯度值为5℃/cm。
9.如权利要求1所述的提高碳化硅晶片平整度的退火方法，其特征在于，步骤S4包括使用石墨荷重块对所述碳化硅晶片施加压力，保持3-5h，其中，所述石墨荷重块的总厚度偏差小于10微米，线性厚度变化小于2微米，所述石墨荷重块与所述碳化硅晶片接触面的表面粗糙度小于1微米，所述石墨荷重块的面积大于所述碳化硅晶片的面积。
10.如权利要求1所述的提高碳化硅晶片平整度的退火方法，其特征在于，步骤S6缓慢匀速升温的升温速率为1-5℃/min，当所述退火炉内温度高于900℃时，控制所述缓慢匀速升温的升温速率为1-2℃/min，所述室温为20-50℃，所述第一温度梯度值为5℃/cm。
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