[发明专利]埋层终端结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110695201.8 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113314600B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;林泳浩;姜春亮;王雯沁 | 申请（专利权）人： | 珠海市浩辰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘自丽 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开一种埋层终端结构及其制备方法，其中，埋层终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体埋层和N+型半导体场限环，P‑型半导体埋层中的掺杂离子的浓度小于P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度；绝缘介质层，设于N‑型半导体漂移区的上表面，分别与P型半导体场限环的部分上表面、P‑型半导体埋层的部分上表面和N+型半导体场限环的部分上表面接触，与P‑型半导体埋层的接触区设有接触孔；第一场板，通过接触孔与P‑型半导体埋层接触。本申请可以使埋层终端结构在高温下不容易击穿，可靠性和稳定性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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