[发明专利]埋层终端结构及其制备方法

权利要求书

1.一种埋层终端结构，其特征在于，包括：

N+型半导体衬底；

N-型半导体漂移区，设于所述N+型半导体衬底的上表面，包括P型半导体场限环、P-型半导体埋层和N+型半导体场限环，所述P型半导体场限环、P-型半导体埋层和N+型半导体场限环分别自所述N-型半导体漂移区的上表面向内部延伸，所述P型半导体场限环的一侧面与所述N-型半导体漂移区的一侧面齐平，所述P-型半导体埋层与所述P型半导体场限环的底面与另一侧面的交界处接触，所述P-型半导体埋层与所述N+型半导体场限环之间有间隙，所述N+型半导体场限环的一侧面与所述N-型半导体漂移区的另一侧面齐平；所述P-型半导体埋层中的掺杂离子的浓度小于所述P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度；

绝缘介质层，设于所述N-型半导体漂移区的上表面，分别与所述P型半导体场限环的部分上表面、所述P-型半导体埋层的部分上表面和所述N+型半导体场限环的部分上表面接触，与所述P-型半导体埋层的接触区设有接触孔；

阳极，自所述P型半导体场限环的上表面向外延伸，覆盖所述绝缘介质层的一侧面和部分上表面；

第一场板，自所述P-型半导体埋层的上表面向外延伸，覆盖所述绝缘介质层的部分上表面并填充所述接触孔，与所述阳极之间有间隙；

金属场板，与所述阳极相对设置，自所述N+型半导体场限环的上表面向外延伸，覆盖所述绝缘介质层的另一侧面和部分上表面，与所述第一场板之间有间隙；

阴极，设于所述N+型半导体衬底的底面。

2.根据权利要求1所述的埋层终端结构，其特征在于，所述第一场板为金属场板或多晶硅场板。

3.根据权利要求1所述的埋层终端结构，其特征在于，所述P-型半导体埋层中的掺杂离子均匀分布或沿水平方向渐变分布。

4.根据权利要求1所述的埋层终端结构，其特征在于，所述P-型半导体埋层包括凸起部分和非凸起部分，所述凸起部分设于所述非凸起部分的部分上表面，所述凸起部分的上表面与所述绝缘介质层的下表面接触，并通过所述接触孔与所述第一场板接触，所述凸起部分的一侧面与所述非凸起部分的一侧面连接形成所述P-型半导体埋层的一侧面，所述凸起部分的宽度小于所述非凸起部分的宽度，所述非凸起部分的上表面与所述P型半导体场限环的另一侧面接触，所述非凸起部分的另一侧面与所述P型半导体场限环的部分底面接触，所述非凸起部分的上表面与所述N-型半导体漂移区的上表面之间有间隙。

5.根据权利要求4所述的埋层终端结构，其特征在于，所述非凸起部分具有长条形结构或倒梯形结构。

6.根据权利要求1所述的埋层终端结构，其特征在于，所述绝缘介质层包括氧化层，所述氧化层为二氧化硅层。

7.根据权利要求1所述的埋层终端结构，其特征在于，所述埋层终端结构还包括P-型半导体掺杂区，设于所述N+型半导体衬底与所述阴极之间。

8.根据权利要求7所述的埋层终端结构，其特征在于，所述P-型半导体掺杂区中的掺杂离子、所述P型半导体场限环中的掺杂离子和所述P-型半导体埋层中的掺杂离子相同，所述P-型半导体掺杂区中的掺杂离子的浓度小于所述P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度且大于所述P-型半导体埋层中的掺杂离子的浓度。