[发明专利]形成集成电路（IC）器件的方法和集成电路器件在审
| 申请号： | 202110690849.6 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN114031034A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈亭蓉;曾李全 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 集成电路(IC)器件包括：第一衬底；介电层，设置在第一衬底上方；以及第二衬底，设置在介电层上方。第二衬底包括从介电层向上延伸的包括硅的锚定区域；并且一系列相互交叉的指状件从锚定区域的内侧壁延伸。相互交叉的指状件通常在第一方向上彼此平行延伸，并且具有通常在第一方向上延伸的相应的指状件长度。多个含硅峰设置在相应的指状件正下方的介电层上。一系列相互交叉的指状件悬在多个峰上方。第一峰设置在指状件的基底下方并且具有第一高度，并且第二峰设置在指状件的尖端下方并且具有小于第一高度的第二高度。本申请的实施例还涉及形成集成电路(IC)器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 ic 器件 方法 | ||
【主权项】：
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