[发明专利]形成集成电路（IC）器件的方法和集成电路器件

说明书

集成电路(IC)器件包括：第一衬底；介电层，设置在第一衬底上方；以及第二衬底，设置在介电层上方。第二衬底包括从介电层向上延伸的包括硅的锚定区域；并且一系列相互交叉的指状件从锚定区域的内侧壁延伸。相互交叉的指状件通常在第一方向上彼此平行延伸，并且具有通常在第一方向上延伸的相应的指状件长度。多个含硅峰设置在相应的指状件正下方的介电层上。一系列相互交叉的指状件悬在多个峰上方。第一峰设置在指状件的基底下方并且具有第一高度，并且第二峰设置在指状件的尖端下方并且具有小于第一高度的第二高度。本申请的实施例还涉及形成集成电路(IC)器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及形成集成电路(IC)器件的方法和集成电路器件。

背景技术

微机电系统(MEMS)器件在现代器件(例如，加速度计、陀螺仪、麦克风、智能扬声器、助听器、照相机器件)中变得越来越普遍。许多MEMS器件可以分类为传感器或致动器。一些MEMS传感器感测外部条件的存在(例如，加速度、声波、光、磁信号)，并且将该条件的存在传达为电信号(例如，电压、电流)。一些MEMS传感器(诸如加速度计或陀螺仪)可以使用梳结构，该结构利用静电原理以检测运动或压力的变化。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种形成集成电路(IC)器件的方法，所述方法包括：在第一晶圆上方形成介电层；在所述介电层上提供第二晶圆；在所述第二晶圆的与所述介电层相对的上表面中形成多个沟槽；沿所述多个沟槽的下部和侧壁形成介电衬垫，并且用导电材料填充所述多个沟槽的剩余部分，以建立一系列相互交叉的指状件，所述相互交叉的指状件的指状件长度通常在第一方向上彼此平行延伸；在所述第二晶圆的所述上表面上方形成掩模，其中，所述掩模包括布置在相邻的指状件的外侧壁之间的一系列开口，并且其中，靠近指状件的基底的第一开口的第一面积大于靠近指状件的尖端的第二开口的第二面积；以及在所述掩模在适当位置的情况下实施蚀刻，以在所述相互交叉的指状件的所述侧壁之间以及所述相互交叉的指状件的底面和所述介电层的上表面之间形成腔。

本申请的另一些实施例提供了一种集成电路(IC)器件，包括：第一衬底；介电层，设置在所述第一衬底上方；第二衬底，设置在所述介电层上方，其中，所述第二衬底包括从所述介电层向上延伸的包括硅的锚定区域；一系列相互交叉的指状件，从所述锚定区域的内侧壁延伸，其中，所述相互交叉的指状件通常在第一方向上彼此平行延伸，并且具有通常在第一方向上延伸的相应的指状件长度；以及多个含硅峰，分别设置在所述一系列相互交叉的指状件的正下方的所述介电层上，其中，所述一系列相互交叉的指状件悬在所述多个峰上方，并且其中，设置在指状件的基底下方的第一峰具有第一高度，并且设置在所述指状件的尖端下方的第二峰具有小于所述第一高度的第二高度。

本申请的又一些实施例提供了一种集成电路(IC)器件，包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)衬底，包括设置在所述互补金属氧化物半导体衬底中的多个半导体器件；互连结构，设置在所述互补金属氧化物半导体衬底上方；介电层，设置在所述互连结构上方；微机电系统(MEMS)衬底，设置在所述介电层上方，其中，所述微机电系统衬底包括从所述介电层向上延伸的包括硅的锚定区域，并且多个导电指状件彼此相互交叉并且悬在所述介电层上方；覆盖衬底，设置在所述微机电系统衬底上方，并且建立其中布置有所述导电指状件的腔，其中，所述腔的下表面由所述介电层的上表面限定；以及多个含硅峰，分别设置在所述多个指状件正下方的所述介电层上，其中，所述多个峰的第一峰设置在指状件的基底下方并且具有第一高度，并且所述多个峰的第二峰设置在所述指状件的尖端下方并且具有小于所述第一高度的第二高度。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了对应于形成MEMS结构的方法的一些实施例的流程图。

图2A至图2D至图8A至图8F提供了示出了用于制造与图1一致的IC器件的方法的一些实施例的一系列顶视图、截面图和立体图。