[发明专利]形成集成电路（IC）器件的方法和集成电路器件

权利要求书

1.一种形成集成电路(IC)器件的方法，所述方法包括：

在第一晶圆上方形成介电层；

在所述介电层上提供第二晶圆；

在所述第二晶圆的与所述介电层相对的上表面中形成多个沟槽；

沿所述多个沟槽的下部和侧壁形成介电衬垫，并且用导电材料填充所述多个沟槽的剩余部分，以建立一系列相互交叉的指状件，所述相互交叉的指状件的指状件长度通常在第一方向上彼此平行延伸；

在所述第二晶圆的所述上表面上方形成掩模，其中，所述掩模包括布置在相邻的指状件的外侧壁之间的一系列开口，并且其中，靠近指状件的基底的第一开口的第一面积大于靠近指状件的尖端的第二开口的第二面积；以及

在所述掩模在适当位置的情况下实施蚀刻，以在所述相互交叉的指状件的所述侧壁之间以及所述相互交叉的指状件的底面和所述介电层的上表面之间形成腔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻在所述介电层的上表面上留下所述第一晶圆的材料作为一系列峰，其中，所述一系列峰中的峰位于所述指状件正下方。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，第一组峰位于所述指状件正下方，所述第一组峰具有彼此不同的高度，并且其中，所述指状件的所述基底下面的第一峰的第一高度大于所述指状件的所述尖端下面的第二峰的第二高度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一组峰具有从所述指状件的所述基底下面的所述第一峰至所述指状件的所述尖端下面的所述第二峰的单调减小的高度。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，第二组峰位于相邻的指状件的基底正下方，并且通常布置在垂直于所述第一方向的第二方向上，其中，所述第二组峰的每个具有所述第一高度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电材料包括多晶硅，并且所述介电衬垫和介电层包括二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：将第三晶圆接合至所述第一晶圆的与所述介电层相对的面。

8.一种集成电路(IC)器件，包括：

第一衬底；

介电层，设置在所述第一衬底上方；

第二衬底，设置在所述介电层上方，其中，所述第二衬底包括从所述介电层向上延伸的包括硅的锚定区域；

一系列相互交叉的指状件，从所述锚定区域的内侧壁延伸，其中，所述相互交叉的指状件通常在第一方向上彼此平行延伸，并且具有通常在第一方向上延伸的相应的指状件长度；以及

多个含硅峰，分别设置在所述一系列相互交叉的指状件的正下方的所述介电层上，其中，所述一系列相互交叉的指状件悬在所述多个峰上方，并且其中，设置在指状件的基底下方的第一峰具有第一高度，并且设置在所述指状件的尖端下方的第二峰具有小于所述第一高度的第二高度。

9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，所述一系列相互交叉的指状件包括多晶硅芯，所述多晶硅芯的侧壁和下表面由介电衬垫覆盖。

10.一种集成电路(IC)器件，包括：

互补金属氧化物半导体(CMOS)衬底，包括设置在所述互补金属氧化物半导体衬底中的多个半导体器件；

互连结构，设置在所述互补金属氧化物半导体衬底上方；

介电层，设置在所述互连结构上方；

微机电系统(MEMS)衬底，设置在所述介电层上方，其中，所述微机电系统衬底包括从所述介电层向上延伸的包括硅的锚定区域，并且多个导电指状件彼此相互交叉并且悬在所述介电层上方；

覆盖衬底，设置在所述微机电系统衬底上方，并且建立其中布置有所述导电指状件的腔，其中，所述腔的下表面由所述介电层的上表面限定；以及

多个含硅峰，分别设置在所述多个指状件正下方的所述介电层上，其中，所述多个峰的第一峰设置在指状件的基底下方并且具有第一高度，并且所述多个峰的第二峰设置在所述指状件的尖端下方并且具有小于所述第一高度的第二高度。