[发明专利]半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器有效
| 申请号： | 202110686531.0 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113437047B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张泽华;杨盛玮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/11556;H01L27/11582;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器。所述测试结构包括：第一半导体结构，包括：控制电路；第二半导体结构，位于所述第一半导体结构之上，包括：位于衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构；其中，所述导电结构与所述衬底电连接；焊盘，位于所述第二半导体结构之上，通过所述导电结构与所述衬底电连接，且与所述控制电路电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 结构 及其 制作方法 以及 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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