[发明专利]半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器

权利要求书

1.一种半导体器件的测试结构，其特征在于，包括：

第一半导体结构，包括：控制电路；

第二半导体结构，位于所述第一半导体结构之上，包括：半导体衬底以及位于所述半导体衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构；其中，所述导电结构与所述半导体衬底电连接；

焊盘，位于所述第二半导体结构之上，通过所述导电结构与所述半导体衬底电连接，且与所述控制电路电连接；

绝缘层，位于所述焊盘与所述半导体衬底之间。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，

所述半导体衬底包括：相对设置的第一表面和第二表面；其中，所述第一表面相对靠近所述第一半导体结构；

所述导电结构包括：第一子导电结构，包括：

第一接触，位于覆盖所述第一表面的第一介质层中，且与所述半导体衬底电绝缘；

第二接触，沿平行于所述半导体衬底方向与所述第一接触并列设置在所述第一介质层中，且与所述半导体衬底电连接；

第一导电层，沿平行于所述半导体衬底所在的平面设置在所述第一介质层中，所述第一导电层的一端与所述第一接触电连接，所述第一导电层的另一端与所述第二接触电连接；

所述第二半导体结构还包括：

第一导电柱，贯穿所述半导体衬底，用于电连接所述第一接触与所述焊盘；其中，所述第一导电柱与所述半导体衬底电绝缘；

第一互连结构，位于所述第一导电层与所述第一半导体结构之间，用于电连接所述第一导电层与所述控制电路。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第二半导体结构，还包括：

二极管，位于所述半导体衬底内，用于电连接所述半导体衬底和所述第二接触。

4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一半导体结构还包括：

第二互连结构，位于所述第一互连结构与所述控制电路之间，用于电连接所述第一互连结构与所述控制电路。

5.一种半导体器件的测试结构，其特征在于，包括：

第一半导体结构，包括：控制电路；

第二半导体结构，位于所述第一半导体结构之上，包括：

半导体衬底；

第一导电柱，贯穿所述半导体衬底；其中，所述第一导电柱与所述半导体衬底电绝缘；

第二子导电结构，位于所述半导体衬底内；其中，所述第二子导电结构与所述半导体衬底电连接；沿垂直于所述半导体衬底所在平面的方向，所述第二子导电结构的厚度小于所述半导体衬底的厚度；

焊盘，位于所述第二半导体结构之上，通过所述第一导电柱与所述控制电路电连接，并通过所述第二子导电结构与所述半导体衬底电连接；

绝缘层，位于所述焊盘与所述半导体衬底之间。

6.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述半导体衬底包括：相对设置的第一表面和第二表面；其中，所述第一表面相对靠近所述第一半导体结构；所述第二半导体结构还包括：

第一子导电结构，位于所述半导体衬底和所述第一半导体结构之间，且与所述半导体衬底电连接，包括：

第一接触，位于覆盖所述第一表面的第一介质层中，通过所述第一导电柱与所述焊盘电连接；

第二接触，沿平行于所述半导体衬底方向与所述第一接触并列设置在所述第一介质层中，且与所述半导体衬底电连接；

第一导电层，沿平行于所述半导体衬底所在的平面设置在所述第一介质层中，所述第一导电层的一端与所述第一接触电连接，所述第一导电层的另一端与所述第二接触电连接；

第一互连结构，位于所述第一导电层与所述第一半导体结构之间，用于电连接所述第一导电层与所述控制电路；

所述焊盘，还通过所述第一子导电结构与所述半导体衬底电连接。