[发明专利]半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器

说明书

本公开实施例公开了一种半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器。所述测试结构包括：第一半导体结构，包括：控制电路；第二半导体结构，位于所述第一半导体结构之上，包括：位于衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构；其中，所述导电结构与所述衬底电连接；焊盘，位于所述第二半导体结构之上，通过所述导电结构与所述衬底电连接，且与所述控制电路电连接。

技术领域

本公开实施例涉及半导体器件领域，尤其涉及一种半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器。

背景技术

半导体器件的制作工艺评估与监控需要各种测试结构作为载体。测试结构连接至焊盘(PAD)，测试时将探针扎入焊盘，从而可以通过焊盘对测试结构进行检测电信号的输入与输出。在制作焊盘的过程中，等离子体产生的游离电荷会聚集在焊盘处。当焊盘聚集的游离电荷达到一定数量或浓度时，会将电势施加在测试结构上并产生等离子体诱生损伤(Plasma Induced Damage，PID)，导致测试结构退化甚至失效，从而无法作为载体。

因此，如何减少对于测试结构的损坏，以保证通过测试结构进行测试分析的可靠性，成为亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体器件的测试结构，包括：

第一半导体结构，包括：控制电路；

第二半导体结构，位于所述第一半导体结构之上，包括：位于衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构；其中，所述导电结构与所述衬底电连接；

焊盘，位于所述第二半导体结构之上，通过所述导电结构与所述衬底电连接，且与所述控制电路电连接。

在一些实施例中，所述衬底包括：相对设置的第一表面和第二表面；其中，所述第一表面相对靠近所述第一半导体结构；

所述导电结构包括：第一子导电结构，包括：

第一接触，位于覆盖所述第一表面的第一介质层中，且与所述衬底电绝缘；

第二接触，沿平行于所述衬底方向与所述第一接触并列设置在所述第一介质层中，且与所述衬底电连接；

第一导电层，沿平行于所述衬底所在的平面设置在所述第一介质层中，所述第一导电层的一端与所述第一接触电连接，所述第一导电层的另一端与所述第二接触电连接；

所述第二半导体结构还包括：

第一导电柱，贯穿所述衬底，用于电连接所述第一接触与所述焊盘；其中，所述第一导电柱与所述衬底电绝缘；

第一互连结构，位于所述第一导电层与所述第一半导体结构之间，用于电连接所述第一导电层与所述控制电路。

在一些实施例中，所述第二半导体结构，还包括：二极管，位于所述衬底内，用于电连接所述衬底和所述第二接触。

在一些实施例中，所述第一半导体结构还包括：

第二互连结构，位于所述第一互连结构与所述控制电路之间，用于电连接所述第一互连结构与所述控制电路。

在一些实施例中，所述导电结构，还包括：

第二子导电结构，位于所述衬底内，所述第二子导电结构的一端与所述衬底电连接，所述第二子导电结构的另一端与所述焊盘电连接；

其中，沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述第二子导电结构的厚度小于所述衬底的厚度。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种半导体器件的测试结构的制作方法，所述方法包括：