[发明专利]集成半导体装置的制备方法和集成半导体装置在审
| 申请号： | 202110684419.3 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113451147A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 格芯致显（杭州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 孟旸;王丽琴 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成半导体装置的制备方法和集成半导体装置，包括：在衬底上制备包含第一材料层和第二材料层的器件材料层；从第一材料层一侧进行第一图形化刻蚀，形成暴露部分第二材料层的台阶结构；分别在第一材料层上和从台阶结构暴露出的第二材料层上制备第一电极和第二电极，并制备覆盖于第一材料层、第二材料层和第二电极的保护层；在保护层上整面制备与第一电极电气接触的键合层；将键合层键合于载体；对器件材料层进行第二图形化刻蚀，以在载体上形成至少一个半导体器件。本发明利用键合层将电气连接结构置于器件的一侧，可提高光电器件的出光效率，并降低电力电气和功率器件的寄生电容，有助于提高集成半导体装置的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 半导体 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯致显（杭州）科技有限公司，未经格芯致显（杭州）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110684419.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
