[发明专利]集成半导体装置的制备方法和集成半导体装置

权利要求书

1.一种集成半导体装置的制备方法，包括：

提供衬底，在所述衬底上制备包含第一材料层和第二材料层的器件材料层，其中，所述第二材料层位于所述器件材料层的靠近所述衬底的一侧，所述第一材料层位于所述器件材料层的远离所述衬底的一侧；

从所述第一材料层一侧对部分所述器件材料层进行第一图形化刻蚀，形成暴露部分所述第二材料层的台阶结构；

分别在所述第一材料层上和从所述台阶结构暴露出的所述第二材料层上制备第一电极和第二电极，并制备覆盖于所述第一材料层、所述第二材料层和所述第二电极的保护层；

在所述保护层上整面制备键合层，所述键合层与所述第一电极电气接触；

提供载体，并将所述键合层键合于所述载体；

从所述衬底一侧对所述器件材料层进行第二图形化刻蚀，以在所述载体上形成至少一个半导体器件。

2.根据权利要求1所述的集成半导体装置的制备方法，其特征在于，在所述保护层上制备键合层之后，并将所述键合层键合于所述载体之前，所述方法还包括：

对所述键合层进行第二图形化刻蚀，形成将所述键合层分割为彼此绝缘的至少两部分的分割槽，其中一部分所述键合层与所述第一电极电气接触。

3.根据权利要求2所述的集成半导体装置的制备方法，其特征在于，在所述载体上形成所述至少一个半导体器件之后，所述方法还包括：

对所述第二电极上的部分所述第二材料层进行第三图形化刻蚀，以暴露部分所述第二电极；

将暴露部分的所述第二电极与另一部分所述键合层进行桥接。

4.根据权利要求1所述的集成半导体装置的制备方法，其特征在于，在完成所述第二图形化刻蚀后，所述方法还包括：

去除所述载体。

5.根据权利要求3所述的集成半导体装置的制备方法，其特征在于，在将暴露部分的所述第二电极与另一部分所述键合层进行桥接之后，所述方法还包括：

去除所述载体。

6.根据权利要求1所述的集成半导体装置的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述载体背向所述键合层的表面制备导电层；

将所述第二电极桥接于所述导电层。

7.根据权利要求4或5所述的集成半导体装置的制备方法，其特征在于，所述的去除所述载体，包括：

采用衬底移除、减薄或者刻蚀方法去除所述载体。

8.根据权利要求7所述的集成半导体装置的制备方法，其特征在于，采用刻蚀方法去除所述载体包括：

将所述键合层下方的部分载体通过刻蚀方法腐蚀掏空；

其中，在腐蚀掏空过程中，由所述键合层作为所述载体与所述半导体器件之间的机械支撑结构。

9.根据权利要求1所述的集成半导体装置的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述至少一个半导体器件上制备功能结构。

10.一种集成半导体装置，其特征在于，包括：

至少一个半导体器件，所述半导体器件包含第一材料层和第二材料层，在所述第一材料层的一侧具有暴露部分所述第二材料层的台阶结构；

第一电极，所述第一电极位于所述第一材料层上；

第二电极，所述第二电极位于所述台阶结构暴露出的所述第二材料层上；

保护层，所述保护层覆盖于所述第一材料层、所述第二材料层和所述第二电极；

键合层，所述键合层位于所述保护层上，并且所述键合层与所述第一电极电气接触。