[发明专利]一种提高硅基OLED发光效率的器件及其制备方法有效
申请号: | 202110664707.2 | 申请日: | 2021-06-15 |
公开(公告)号: | CN113410410B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 吕磊;李维维;刘胜芳;许嵩;刘晓佳;赵铮涛 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;G02B5/00 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 任晨晨 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种提高硅基OLED发光效率的器件及其制备方法,包括在硅基OLED的阳极反射金属层和透明金属氧化物ITO层之间增加一层薄层的纳米金属团簇,利用OLED发光过程中光子激发纳米金属团簇形成表面等离子激元效应,通过表面等离子激元电‑光转换效应进一步提高OLED发光效率。本发明控制纳米金属团簇的主要成分、制备工艺,控制团簇膜层厚度与阳极对应的像素的发光颜色匹配,激发发光,进一步提高发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 oled 发光 效率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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