[发明专利]一种提高硅基OLED发光效率的器件及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基OLED发光器件，其特征在于，包括阳极反射层，所述阳极反射层上设置金属纳米团簇层，所述金属纳米团簇层上设置阳极接触层；所述阳极接触层上设置OLED膜层；

所述阳极反射层厚度为100nm-150nm；

所述金属纳米团簇层表面平坦度小于2nm；

金属纳米团簇层为Ag纳米团簇层；

所述硅基OLED发光器件为彩色的OLED器件，RGB对应的像素上的团簇厚度不同，蓝色对应Ag纳米团簇层的厚度为1nm-3nm；绿色对应Ag纳米团簇层的厚度为5nm-7nm；红色对应Ag纳米团簇层的厚度为9nm-11nm；

所述阳极接触层为阳极ITO膜层。

2.根据权利要求1所述的硅基OLED发光器件，其特征在于，所述阳极反射层材料为金属Ag或者Al。

3.根据权利要求1所述的硅基OLED发光器件，其特征在于，所述阳极ITO膜层，膜层厚度为20nm-40nm。

4.一种权利要求1-3任一项所述的硅基OLED发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

1）在基板上沉积阳极反射层；

2）在阳极反射层上制备金属纳米团簇层；

3）在金属纳米团簇层上沉积阳极接触层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤2）使用涂布或者真空蒸镀的方式形成金属纳米团簇层；所述真空蒸镀方法，具体为：直接在阳极反射层上蒸镀银薄膜，银的纯度要求≥99.95%，银蒸镀速率范围为0.01nm/s-0.05nm/s,真空度要求在1E-5Pa以下；

或，所述涂布具体为：使用纳米银溶液旋涂在阳极反射层上，然后热固化形成薄膜，纳米银溶液浓度为1000ppm，转速范围1000r/min-2000r/min，旋涂时间控制在10s-20s，固化温度范围室温~80℃。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，步骤3）具体为：使用PVD工艺沉积阳极ITO膜层，膜层厚度为20nm-40nm；PVD工艺参数设置如下：功率500W，工艺时间13s-25s，Ar流量20sccm，O₂流量30sccm。