[发明专利]一种过渡族金属化合物析氢薄膜及射频反溅改性制备方法在审
| 申请号： | 202110663570.9 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113403640A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李新中;尹相鑫;刘京京 | 申请（专利权）人： | 曾祥燕 |
| 主分类号： | C25B11/052 | 分类号： | C25B11/052;C25B11/031;C25B11/061;C25B11/063;C25B11/067;C25B11/075;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;C25B1/04 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 曾亚容 |
| 地址： | 341000 江西省赣*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及电催化析氢技术领域，具体涉及一种过渡族金属化合物析氢薄膜，包括基底层和析氢催化层，所述析氢催化层设置在所述基底层的表面，所述析氢催化层为过渡族金属硫化合物、过渡族金属硒化合物和过渡族金属碲化合物中的一种所形成的薄膜，通过射频反溅产生的被离化的Ar等离子体随机辐照样品产生刻蚀效果，形成整个析氢薄膜平面内的随机刻蚀，使得析氢薄膜的催化活性得到显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 过渡 金属 化合物 薄膜 射频 改性 制备 方法 | ||
【主权项】：
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