[发明专利]一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法有效
| 申请号： | 202110663157.2 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410305B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 宋坤;王英民;孙有民;王小荷;曹磊;陈宝忠;刘存生 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 辐射 加固 ldmos 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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