[发明专利]一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法

权利要求书

1.一种抗辐射加固的LDMOS晶体管，其特征在于，包括衬底；

所述衬底表面并列形成有阱（1）和漂移区（2）；所述阱（1）上依次层叠有SiO₂氮氧硅层（5’）和HTO氮氧硅层（6’）；所述HTO氮氧硅层（6’）上形成有多晶栅（7）；

所述漂移区（2）上形成有多个场氧（3）；场氧（3）之间形成有场环（4）；场环（4）上形成有SiO₂薄氮氧硅层（11’）；所述阱（1）、多晶栅（7）、场氧（3）和SiO₂薄氮氧硅层（11’）上形成有介质层（12）；

所述SiO₂氮氧硅层（5’）是通过将SiO₂栅氧层（5）经过氮化处理所形成，所述SiO₂氮氧硅层（5’）的厚度范围为200~600Å；

所述HTO氮氧硅层（6’）是通过将HTO栅氧层（6）经过氮化处理所形成，所述HTO氮氧硅层（6’）的厚度为100~400Å；

所述SiO2氮氧硅层（5’）与HTO氮氧硅层（6’）构成抗辐射加固的复合栅结构；

所述SiO2薄氮氧硅层（11’）是通过将SiO2薄氧化层（11）经过氮化处理所形成，所述SiO2薄氮氧硅层（11’）的厚度为100~300Å。

2.根据权利要求1所述的一种抗辐射加固的LDMOS晶体管，其特征在于，所述阱（1）内部的源极掺杂区（8）和体引出端掺杂区（9）；所述漂移区（2）上形成有漏极掺杂区（10）。

3.根据权利要求1所述的一种抗辐射加固的LDMOS晶体管，其特征在于，所述介质层（12）上设置有金属（13）。

4.一种抗辐射加固的LDMOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下过程，

在衬底表面形成阱（1）和漂移区（2）；

在阱（1）上依次生长SiO₂栅氧层（5）氮化形成SiO₂氮氧硅层（5’）、淀积HTO栅氧层（6）氮化形成HTO氮氧硅层（6’），SiO₂氮氧硅层（5’）和HTO氮氧硅层（6’）形成复合栅介质结构，淀积多晶硅（7）形成栅极；

在漂移区（2）上的场氧（3）之间形成场环（4），场环（4）上依次生长SiO₂薄氧化层（11），并氮化成SiO₂薄氮氧硅层（11’）形成漂移区加固结构；

在阱（1）、多晶栅（7）、场氧（3）和SiO₂薄氮氧硅层（11’）上淀积形成有介质层（12）。

5.根据权利要求4所述的一种抗辐射加固的LDMOS晶体管的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤，

步骤1，在硅衬底表面形成隔离区；

步骤2，在形成隔离区的硅衬底上通过光刻、注入、扩散工序形成漂移区（2），在漂移区（2）上形成有多个场氧（3），场氧（3）之间形成有场环（4），场环（4）上形成SiO₂薄氧化层（11），将SiO₂薄氧化层（11）氮化处理成SiO₂薄氮氧硅层（11’），形成漂移区加固结构；

步骤3，在硅衬底表面通过光刻和离子注入形成阱（1）；

步骤4，在阱（1）上生长SiO₂栅氧层（5），将SiO₂栅氧层（5）氮化后形成SiO₂氮氧硅层（5’），在SiO₂氮氧硅层（5’）表面淀积HTO栅氧层（6），将HTO栅氧层（6）氮化后形成HTO氮氧硅层（6’），SiO₂氮氧硅层（5’）和HTO氮氧硅层（6’）形成复合栅介质；

步骤5，在HTO氮氧硅层（6’）上形成多晶栅（7）；

步骤6，阱（1）、多晶栅（7）、场氧（3）和SiO₂薄氮氧硅层（11’）上形成有介质层（12）；

步骤7，在介质层（12）上形成金属（13）。