[发明专利]TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法有效
| 申请号： | 202110662425.9 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113390948B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 朱雷;石凯琳;李珮琳;华佑南;李晓旻 | 申请（专利权）人： | 胜科纳米（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62;G01N1/28;G01N1/36 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 边人洲 |
| 地址： | 215124 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及材料样品检测技术领域，尤其涉及TOF‑SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，包括以下步骤：以所述待测样品的待测面朝上的方式将所述待测样品夹入软质金属片中固定，所述待测样品的待测面与所述软质金属片的顶端齐平；夹入软质金属片中的待测样品放入基线金属块之间，所述基线金属块处于上下面平行状态，所述软质金属片的顶端与所述基线金属块的顶端齐平，然后进行TOF‑SIMS检测。本发明提供的TOF‑SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，解决了小尺寸样品在TOF‑SIMS检测难以成功的问题，有效提高了制样的准确度和精度，并且制样过程时间缩短，制样成功率高。 | ||
| 搜索关键词： | tof sims 深度 分析 半导体 芯片 多层 端面 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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