[发明专利]TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法有效
| 申请号： | 202110662425.9 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113390948B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 朱雷;石凯琳;李珮琳;华佑南;李晓旻 | 申请（专利权）人： | 胜科纳米（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62;G01N1/28;G01N1/36 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 边人洲 |
| 地址： | 215124 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tof sims 深度 分析 半导体 芯片 多层 端面 样品 制备 方法 | ||
1.TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
以待测样品半导体小芯片的待测面朝上的方式将所述待测样品夹入软质金属片中固定，所述待测样品的待测面与所述软质金属片的顶端齐平；
夹入软质金属片中的待测样品放入基线金属块之间，所述基线金属块处于上下面平行状态，所述软质金属片的顶端与所述基线金属块的顶端齐平，然后对半导体小芯片的待测面进行TOF-SIMS检测；
其中，所述待测样品的待测面的宽度或长度中的至少一种不大于100微米；所述待测样品的端面是由多层平行于端面的纳米级薄膜组成；所述软质金属片的厚度为0.1-1毫米；所述软质金属片的纯度不低于99.9％。
2.根据权利要求1所述的TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，其特征在于，所述软质金属片为铟箔或锡箔。
3.根据权利要求1所述的TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，其特征在于，所述软质金属片的厚度为0.2-0.5毫米。
4.根据权利要求1所述的TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，其特征在于，所述半导体小芯片的材质为硅基或者III-V族半导体材料。
5.根据权利要求1所述的TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，其特征在于，所述待测样品的待测面的宽度和长度均不大于500微米。
6.根据权利要求5所述的TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，其特征在于，所述待测样品的待测面的宽度为20-100微米。
7.根据权利要求5所述的TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，其特征在于，所述待测样品的待测面的长度为20-400微米。
8.根据权利要求1-7任一项所述的TOF-SIMS质谱深度分析半导体小芯片多层膜端面样品的制备方法，其特征在于，所述待测样品夹入软质金属片中固定和/或金属块边缘对准的操作在显微镜下操作。
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