[发明专利]一种自对准T形栅高迁移率晶体管制备方法及装置

摘要

本发明公开的一种自对准T形栅高迁移率晶体管制备方法及装置，通过对基片进行第一沉积和第一刻蚀处理，以使所述基片上沉积有第一沉积层和预设形状的第二沉积层；在所述第二沉积层的侧壁处形成第一侧墙和第二侧墙；对所述基片进行离子注入处理及退火处理，形成源漏金属沉积层；对所述基片进行第三沉积处理后形成的第五沉积层进行抛光处理，再对所述第二侧墙进行完全腐蚀；对所述基片进行第四沉积和第四刻蚀处理，以使形成第三侧墙；对所述基片进行栅金属沉积和刻蚀处理，形成T形栅结构的金属沉积层；对所述第一侧墙、所述第三侧墙、所述第一沉积层和所述第五沉积层进行完全腐蚀。本发明采用了侧墙转移技术，降低光刻难度，提高生产效率。