[发明专利]一种自对准T形栅高迁移率晶体管制备方法及装置

权利要求书

1.一种自对准T形栅高迁移率晶体管制备方法，其特征在于，包括：

S1：对基片进行第一沉积和第一刻蚀处理，以使所述基片上沉积有第一沉积层和预设形状的第二沉积层，所述预设形状为台阶状；

S2：对所述基片进行第二沉积和第二刻蚀处理，以使在所述第二沉积层的侧壁处形成第一侧墙和第二侧墙，并对所述第二沉积层进行完全腐蚀；

S3：对所述基片进行离子注入处理及退火处理，形成源漏极区域，并在所述源漏极区域进行金属沉积，形成源漏金属沉积层；

S4：对所述基片进行第三沉积处理，并对所述第三沉积处理形成的第五沉积层进行抛光处理，直至露出所述第一侧墙和所述第二侧墙的顶部，再对所述第二侧墙进行完全腐蚀；

S5：对所述基片进行第四沉积和第四刻蚀处理，以使在所述第一侧墙和所述第五沉积层间隔的左右两侧形成第三侧墙，所述第三侧墙为两块互相平行的墙体，对沉积于所述第三侧墙中间的第一沉积层进行刻蚀处理；

S6：对所述基片进行栅金属沉积和刻蚀处理，形成T形栅结构的金属沉积层；

S7：对所述第一侧墙、所述第三侧墙、所述第一沉积层和所述第五沉积层进行完全腐蚀。

2.如权利要求1所述的一种自对准T形栅高迁移率晶体管制备方法，其特征在于，在执行步骤S1之前，所述基片为三层结构基片；其中，所述三层结构由上到下依次为势垒层、沟道层和衬底。

3.如权利要求2所述的一种自对准T形栅高迁移率晶体管制备方法，其特征在于，对基片进行第一沉积和第一刻蚀处理，具体为：

先对所述基片沉积第一介质，形成第一沉积层，再对所述基片沉积第二介质，生成第二沉积层，并对所述第二沉积层进行刻蚀处理，所述第二介质沉积层的厚度大于所述第一介质沉积层的厚度。

4.如权利要求3所述的一种自对准T形栅高迁移率晶体管制备方法，其特征在于，对所述基片进行第二沉积和第二刻蚀处理，以使在所述台阶状的沉积层的侧壁处形成第一侧墙和第二侧墙，具体为：

先在所述基片上对第三介质进行各向同性沉积，形成第三沉积层，再对所述第三沉积层进行各向异性刻蚀，以使在步骤S1中形成的台阶状的所述第二沉积层的侧壁处形成第一侧墙，再在所述基片上对第四介质进行各向同性沉积，形成第四沉积层，再对所述第四沉积层进行各向异性刻蚀，以使在第一侧墙的一侧形成第二侧墙，所述第一侧墙和所述第二侧墙的高度与所述第二沉积层的厚度相同。

5.如权利要求4所述的一种自对准T形栅高迁移率晶体管制备方法，其特征在于，对所述基片进行离子注入处理及退火处理，具体为：

对所述基片的沟道层、势垒层以及第一沉积层进行离子注入处理及退火处理，所述第一侧墙和所述第二侧墙对应的所述基片的沟道层、势垒层以及第一沉积层不做处理。

6.一种自对准T形栅高迁移率晶体管制备装置，其特征在于，包括：第一处理模块、第二次处理模块、第三处理模块、第四处理模块、第五处理模块、第六处理模块和第七处理模块：

所述第一处理模块用于对基片进行第一沉积和第一刻蚀处理，以使所述基片上沉积有第一沉积层和预设形状的第二沉积层，所述预设形状为台阶状；

所述第二处理模块用于对所述基片进行第二沉积和第二刻蚀处理，以使在所述第二沉积层的侧壁处形成第一侧墙和第二侧墙，并对所述第二沉积层进行完全腐蚀；

所述第三处理模块用于对所述基片进行离子注入处理及退火处理，形成源漏极区域，并在所述源漏极区域进行金属沉积，形成源漏金属沉积层；

所述第四处理模块用于对所述基片进行第三沉积处理，并对所述第三沉积处理形成的第五沉积层进行抛光处理，直至露出所述第一侧墙和所述第二侧墙的顶部，再对所述第二侧墙进行完全腐蚀；

所述第五处理模块用于对所述基片进行第四沉积和第四刻蚀处理，以使在所述第一侧墙和所述第五沉积层间隔的左右两侧形成第三侧墙，所述第三侧墙为两块互相平行的墙体，对沉积于所述第三侧墙中间的第一沉积层进行刻蚀处理；

所述第六处理模块用于对所述基片进行栅金属沉积和刻蚀处理，形成T形栅结构的金属沉积层；

所述第七处理模块用于对所述第一侧墙、所述第三侧墙、所述第一沉积层和所述第五沉积层进行完全腐蚀。