[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202110655309.4 申请日: 2021-06-11
公开(公告)号: CN113809035A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 黑川敦;柴田雅博;德矢浩章;佐治真理 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L27/082;H01L29/737
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;王海奇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供能够抑制由应力导致的可靠性降低,并且抑制散热性降低的半导体装置。在基板上形成有具有至少一级台阶的台面部。在台面部上配置有绝缘膜,该绝缘膜包含由有机绝缘材料构成的有机层且设置有开口。在绝缘膜上配置有经过设置于绝缘膜的开口而电连接于台面部的晶体管的导体膜。在俯视时,设置于有机层的开口包含台面部,且具有沿第一方向延伸的侧面。将在俯视时从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的与第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离,将从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离。将台面部的第一级高度定义为第一高度。第一距离以及第二距离中的至少一方为第一高度以上。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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