[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供能够抑制由应力导致的可靠性降低，并且抑制散热性降低的半导体装置。在基板上形成有具有至少一级台阶的台面部。在台面部上配置有绝缘膜，该绝缘膜包含由有机绝缘材料构成的有机层且设置有开口。在绝缘膜上配置有经过设置于绝缘膜的开口而电连接于台面部的晶体管的导体膜。在俯视时，设置于有机层的开口包含台面部，且具有沿第一方向延伸的侧面。将在俯视时从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的与第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离，将从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离。将台面部的第一级高度定义为第一高度。第一距离以及第二距离中的至少一方为第一高度以上。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

主要用于无线通信设备的功率放大器(Power amplifier)要求输出的提高。构成功率放大器的放大元件例如使用异质结双极晶体管(HBT)等晶体管。为了提高功率放大器的输出，需要提高从晶体管的散热性。

形成有晶体管的半导体芯片存在经由凸块倒置安装于模块基板的情况。在对模块基板的安装时的回流焊处理中，半导体芯片被加热。在半导体芯片加热后的温度降低的过程中，由于半导体芯片的多个构成要素的热膨胀系数不同而产生热应力。在下述的专利文献1中，公开了能够使施加于晶体管的热应力减少的半导体装置。在专利文献1所公开的半导体装置中，通过将凸块在面内方向上相对于晶体管的发射极区域错开地配置，来缓和施加于晶体管的应力。

专利文献1：国际公开第2015/104967号

在晶体管产生的热量通过凸块传导至模块基板。若将凸块在面内方向上相对于晶体管的发射极区域错开地配置，则从晶体管到凸块的热阻增大，难以确保充分的散热性。因此，将凸块在面内方向上相对于发射极区域错开地配置的结构不能说适合于提高功率放大器的输出。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够抑制由应力导致的可靠性降低，并且抑制散热性降低的半导体装置。

根据本发明的一个方面，提供一种半导体装置，具有：

基板；

至少一个台面部，形成在上述基板上，在内部包含晶体管的至少部分的半导体层，上述台面部具有至少一级台阶；

绝缘膜，配置在上述台面部上，包含由有机绝缘材料构成的有机层，在上述绝缘膜设置有开口；以及

导体膜，配置在上述绝缘膜上，经过设置于上述绝缘膜的开口而电连接于上述晶体管，

在俯视时，设置于上述有机层的开口包含上述台面部，且上述开口具有沿第一方向延伸的侧面，

将在俯视时从上述台面部到上述有机层的开口的两侧的侧面的与上述第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离，

将在俯视时从上述台面部到上述有机层的开口的两侧的侧面的上述第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离，

将上述台面部的第一级高度定义为第一高度时，

上述第一距离以及上述第二距离中的至少一方为上述第一高度以上。

通过使第一距离以及第二距离中的至少一方为第一高度以上，能够减轻施加于开口的侧面的附近的应力给台面部带来的影响。由此，能够抑制由应力导致的可靠性的降低。由于在俯视时设置于有机层的开口包含台面部，因此在从台面部朝向基板的上方的导热路径内未配置有机层。由于有机层不妨碍热量的传导，因此能够抑制散热性降低。

附图说明

图1是示出第一实施例的半导体装置的部分构成要素的俯视时的位置关系的图。

图2是图1的点划线2－2上的剖视图。

图3是图1的点划线3－3上的剖视图。