[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

基板；

至少一个台面部，形成在上述基板上，在内部包含晶体管的至少部分的半导体层，上述台面部具有至少一级台阶；

绝缘膜，配置在上述台面部上，包含由有机绝缘材料构成的有机层，在上述绝缘膜设置有开口；以及

导体膜，配置在上述绝缘膜上，经过设置于上述绝缘膜的开口而电连接于上述晶体管，

在俯视时，设置于上述有机层的开口包含上述台面部，具有在第一方向上延伸的侧面，

将在俯视时从上述台面部到上述有机层的开口的两侧的侧面的与上述第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离，

将在俯视时从上述台面部到上述有机层的开口的两侧的侧面的上述第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离，

将上述台面部的第一级的高度定义为第一高度时，

上述第一距离以及上述第二距离中的至少一方为上述第一高度以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在将从上述台面部的第一级的上表面到上述有机层的开口的侧面的下端的高度方向的距离定义为第二高度时，上述第一距离以及上述第二距离中的至少一方为上述第二高度以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在上述第二方向上排列地配置有多个上述台面部，

在俯视时，上述有机层的开口包含多个上述台面部，

在位于上述第二方向的两端的上述台面部，上述第一距离比上述第二距离长。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

上述绝缘膜包含配置于上述有机层的下方的由无机绝缘材料构成的无机层，在俯视时，上述无机层的开口比上述有机层的开口小。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

上述台面部由化合物半导体形成。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

将在俯视时从上述台面部到上述有机层的开口的两侧的侧面的上述第二方向的各个距离沿上述第一方向平均所得的值较小的一方的平均值设为上述第一距离。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，还具有：

保护膜，配置在上述绝缘膜以及上述导体膜上，且设置有开口，在俯视时，上述开口包含于上述导体膜；以及

凸块，配置在设置于上述保护膜的开口中、以及上述保护膜上，连接于上述导体膜。