[发明专利]非易失性存储装置的读取积聚时间校准在审
| 申请号： | 202110648101.X | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN114155901A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | A·巴扎尔斯基;D·罗兹曼;E·沙龙 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/34;G11C29/42;G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过校准积聚时间来校准读取参考电平。积聚时间是：在感测存储器单元的同时，允许感测节点上的电荷发生改变的时间长度。校准积聚时间比校准参考电压本身快得多。这部分地是由于减少了校准期间需要施加的不同参考电压的数量。对于给定的读取参考电压，校准积聚时间可以使用不同的测试积聚时间，从而减少读取参考电压的数量。因此，就时间而言，校准积聚时间非常有效。另外，可降低功率消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 读取 积聚 时间 校准 | ||
【主权项】：
暂无信息
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