[发明专利]非易失性存储装置的读取积聚时间校准

权利要求书

1.一种装置，包括：

通信接口；和

控制电路，所述控制电路耦接到所述通信接口，其中所述控制电路被配置为连接到非易失性存储器单元，其中所述控制电路被配置为：

将一个或多个参考电压施加到一组所述非易失性存储器单元；

在将所述一个或多个参考电压施加到所述一组非易失性存储器单元的同时，对所述一组非易失性存储器单元进行多个不同积聚时间的感测，以生成感测结果；以及

基于所述感测结果校准所述一个或多个参考电压中至少一个参考电压的积聚时间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制电路被配置为使用所述感测结果基于误码率估计扫描(BES)来校准所述至少一个参考电压的所述积聚时间。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制电路被配置为：

基于所述感测结果生成存储在所述一组非易失性存储器单元中的数据的码字；以及

基于所述码字中的每个码字的错误度量校准所述至少一个参考电压的所述积聚时间。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述控制电路被配置为：

基于所述感测结果模拟对多个积聚时间/参考电压组合的感测；以及

基于所述多个积聚时间/参考电压组合的模拟感测来生成所述码字。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制电路被配置为：

基于所述感测结果搜索两个阈值电压分布之间的谷；以及

基于所述谷的位置校准所述一个或多个参考电压中第一参考电压的所述积聚时间。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制电路被进一步配置为：

针对所述感测结果的所述不同积聚时间中的每个积聚时间，确定所述组之中的每个存储器单元的信息位；以及

基于针对所述不同积聚时间中的每个积聚时间的所述组中的每个存储器单元的所述信息位来校准所述至少一个参考电压的所述积聚时间。

7.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述一个或多个参考电压包括用于感测数据页面的多个参考电压；并且

所述控制电路被配置为基于所述感测结果校准所述多个参考电压中的每个参考电压的单独积聚时间。

8.根据权利要求1所述的装置，其中为了在将所述一个或多个参考电压施加到所述一组非易失性存储器单元的同时对所述一组非易失性存储器单元进行所述多个不同积聚时间的感测，所述控制电路被配置为，针对所述组中的每个存储器单元以及针对每个积聚时间：

在多个感测节点中的每个感测节点上建立初始电压，每个感测节点与所述存储器单元中的一个存储器单元相关联；

在所述感测节点上建立所述初始电压之后，将每个感测节点连接到所述相关联的存储器单元；以及

在将所述感测节点连接到所述相关联的存储器单元之后等待所述积聚时间后，检测每个感测节点上的电压。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制电路被配置为：

响应于未能解码从所述一组存储器单元所读取的码字而校准所述至少一个参考电压的所述积聚时间；以及

基于使用所述至少一个参考电压的所述积聚时间来感测所述存储器单元而恢复所述码字。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制电路被进一步配置为：

在校准所述至少一个参考电压的所述积聚时间之后，将所述一个或多个参考电压施加到所述一组非易失性存储器单元；

使用所述至少一个参考电压的所校准的积聚时间来感测所述一组存储器单元，以生成数据结果；以及

基于所述数据结果对存储在所述一组存储器单元中的码字进行解码。