[发明专利]具有使EMI屏蔽件接地的导电底部填充坝的半导体装置组件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110635277.1 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113782518A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李仲培 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/16;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及具有使EMI屏蔽件接地的导电底部填充坝的半导体装置组件及其制造方法。提供了一种半导体装置组件。所述组件包含衬底，所述衬底包含具有多个内部接触垫和至少一个接地垫的上表面和具有多个外部接触垫的下表面。所述组件进一步包含耦合到所述多个内部接触垫的半导体裸片、耦合到所述至少一个接地垫的导电底部填充坝，以及至少安置在所述半导体裸片与所述衬底之间的底部填充材料。所述底部填充材料包含所述半导体裸片与所述底部填充坝之间的圆角。所述组件进一步包含安置在所述半导体裸片、所述圆角和所述导电底部填充坝上方的导电EMI屏蔽件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 emi 屏蔽 接地 导电 底部 填充 半导体 装置 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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