[发明专利]具有使EMI屏蔽件接地的导电底部填充坝的半导体装置组件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置组件，其包括：

衬底，其包含具有多个内部接触垫和至少一个接地垫的上表面和具有多个外部接触垫的下表面；

半导体裸片，其耦合到所述多个内部接触垫；

导电底部填充坝，其耦合到所述至少一个接地垫；

底部填充材料，其至少安置在所述半导体裸片与所述衬底之间，所述底部填充材料包含所述半导体裸片与所述底部填充坝之间的圆角；以及

导电EMI屏蔽件，其安置在所述半导体裸片、所述圆角和所述导电底部填充坝上方。

2.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其中所述圆角至少竖直向上延伸到所述半导体裸片的外表面的一半。

3.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其中所述圆角竖直延伸到所述半导体裸片的上表面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其中所述导电EMI屏蔽件通过所述导电底部填充坝和所述至少一个接地垫进行电接地。

5.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其中所述导电底部填充坝是大体上环形的并且包围所述半导体裸片的外围。

6.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其中所述导电底部填充坝具有经配置以限制所述底部填充材料溢出所述导电底部填充坝的高度。

7.根据权利要求6所述的半导体装置组件，其中所述导电底部填充坝的所述高度进一步经配置以使得所述圆角至少部分地竖直向上延伸到所述半导体裸片的外表面。

8.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其中所述导电EMI屏蔽件在所述半导体裸片的上表面上方以及所述圆角上方连续地延伸而没有任何开口。

9.根据权利要求1所述的半导体装置组件，其进一步包括至少部分地包封所述导电EMI屏蔽件的包封材料。

10.一种制造半导体装置组件的方法，其包括：

提供衬底，所述衬底包含具有多个内部接触垫和至少一个接地垫的上表面和具有多个外部接触垫的下表面；

在所述衬底的所述上表面上方形成导电底部填充坝，并且所述导电底部填充坝与所述至少一个接地垫进行电接触；

将半导体裸片安置在所述多个内部接触垫上方，并且所述半导体裸片与所述多个内部接触垫进行电接触；

将底部填充材料至少分配在所述半导体裸片与所述衬底之间，所述底部填充材料包含所述半导体裸片与所述底部填充坝之间的圆角；以及

在所述半导体裸片、所述圆角和所述导电底部填充坝上方形成导电EMI屏蔽件。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述圆角至少竖直向上延伸到所述半导体裸片的外表面的一半。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述圆角竖直延伸到所述半导体裸片的上表面。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述导电EMI屏蔽件通过所述导电底部填充坝和所述至少一个接地垫进行电接地。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述导电底部填充坝是大体上环形的并且包围所述半导体裸片的外围。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述导电底部填充坝具有经配置以限制所述底部填充材料溢出所述导电底部填充坝的高度。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述导电底部填充坝的所述高度进一步经配置以使得所述圆角至少部分地竖直向上延伸到所述半导体裸片的外表面。