[发明专利]微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法有效
| 申请号： | 202110630715.5 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113345829B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 谈江乔;刘鉴明;柯志杰;吴双;周川 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78;H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法，通过在各所述LED芯粒背离所述生长基板的一侧表面覆盖有粘附层，并在转移基板的表面形成感应层；在转移过程中，通过键合使所述粘附层与所述感应层形成粘接，且感应层位于粘附层的上方；从而在后续通过掩膜并结合相应的感应源选择性破坏所述感应层和粘附层，使对应的LED芯粒自然掉落至目标基板时，破坏所示感应层所产生的多余能量可被所述粘附层吸收，继而有效保护LED芯粒不受感应源如光、热、电磁波等的伤害。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 巨量 转移 方法 显示装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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