[发明专利]微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S01、提供一LED阵列结构，所述LED阵列结构包括生长基板及在所述生长基板表面形成的若干个呈阵列排布的LED芯粒，各所述LED芯粒包括水平结构LED芯粒或垂直结构LED芯粒；

步骤S02、沉积一粘附层，所述粘附层覆盖各所述LED芯粒背离所述生长基板的一侧表面，并填充相邻LED芯粒之间的间隙；

步骤S03、提供一转移基板，并在所述转移基板的表面形成感应层；

步骤S04、将步骤S03所述的转移基板与步骤S02所形成的LED阵列结构键合，使所述粘附层与所述感应层形成粘接；

步骤S05、去除所述生长基板；

步骤S06、通过掩膜并结合相应的感应源选择性破坏所述感应层和粘附层，使对应的LED芯粒自然掉落至目标基板，且在破坏所述感应层时所产生的多余能量可被所述粘附层吸收。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述粘附层的厚度为H，所述LED芯粒的高度为H1，则H1＜H＜2H1。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述粘附层包括添加有感光剂和/或热敏剂的黏性材料。

4.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述粘附层包括紫外感光胶、硅胶、光刻胶、热熔胶、玻璃胶中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述感应层包括热感应材料、紫外光感应材料、激光感应材料、辐射感应材料、等离子体感应材料、微波感应材料中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述目标基板为自带粘性的材料层，包括蓝膜、薄膜、UV膜、热解粘膜、硅胶中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述步骤S05还包括通过掩膜工艺将缺陷LED芯粒与所述生长基板同时去除。

8.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述生长基板包括蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝、砷化镓中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的微型发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述LED芯粒至少包括在所述生长基板表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层，与所述第一型半导体层形成欧姆接触的第一电极，以及与所述第二型半导体层形成欧姆接触的第二电极。

10.一种LED显示装置的制作方法，其特征在于，采用权利要求1至9任一项所述的微型发光二极管的巨量转移方法实现巨量转移。

11.一种LED显示装置，其特征在于，采用权利要求10所述的LED显示装置的 制作方法而制作形成。