[发明专利]微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法

说明书

本发明提供了一种微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法，通过在各所述LED芯粒背离所述生长基板的一侧表面覆盖有粘附层，并在转移基板的表面形成感应层；在转移过程中，通过键合使所述粘附层与所述感应层形成粘接，且感应层位于粘附层的上方；从而在后续通过掩膜并结合相应的感应源选择性破坏所述感应层和粘附层，使对应的LED芯粒自然掉落至目标基板时，破坏所示感应层所产生的多余能量可被所述粘附层吸收，继而有效保护LED芯粒不受感应源如光、热、电磁波等的伤害。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法。

背景技术

微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管(Micro LED)技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微元件产品进入市场。高品质微间距发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。Micro-Led技术，即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度、微小尺寸的LED阵列的技术，以将像素点的距离从毫米级降低至微米级。由于Micro-Led性能上表现优越，继承了无机LED的高亮度、高良率、高可靠性、体积小、寿命长等优势，在显示领域的应用越来越广泛。

在制造微元件的过程中，首先在施体基板上形成微元件，接着将微元件转移到接收基板上。接收基板例如是显示屏。在微型发光二极管的制作过程中，巨量转移是微型发光二极管实现产业化的主要瓶颈，如何解决这一技术难题，成为微型发光二极管成本降低和量产的关键环节。

有鉴于此，本发明人专门设计了一种微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法，本案由此产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微型发光二极管的巨量转移方法、显示装置及其制作方法，以降低微型发光二极管巨量转移的工艺难度和成本。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种微型发光二极管的巨量转移方法，包括如下步骤：

步骤S01、提供一LED阵列结构，所述LED阵列结构包括生长基板及在所述生长基板表面形成的若干个呈阵列排布的LED芯粒，各所述LED芯粒包括水平结构LED芯粒或垂直结构LED芯粒；

步骤S02、沉积一粘附层，所述粘附层覆盖各所述LED芯粒背离所述生长基板的一侧表面，并填充相邻LED芯粒之间的间隙；

步骤S03、提供一转移基板，并在所述转移基板的表面形成感应层；

步骤S04、将步骤S03所述的转移基板与步骤S02所形成的LED阵列结构键合，使所述粘附层与所述感应层形成粘接；

步骤S05、去除所述生长基板；

步骤S06、通过掩膜并结合相应的感应源选择性破坏所述感应层和粘附层，使对应的LED芯粒自然掉落至目标基板。

优选地，所述粘附层的厚度为H，所述LED芯粒的高度为H1，则H1＜H＜2H1。

优选地，所述粘附层包括添加有感光剂和/或热敏剂的黏性材料。

优选地，所述粘附层包括紫外感光胶、硅胶、光刻胶、热熔胶、玻璃胶中的任意一种。

优选地，所述感应层包括热感应材料、紫外光感应材料、激光感应材料、辐射感应材料、等离子体感应材料、微波感应材料中的任意一种。

优选地，所述目标基板为自带粘性的材料层，包括蓝膜、薄膜、UV膜、热解粘膜、硅胶中的任意一种。

优选地，所述步骤S05还包括通过掩膜工艺将缺陷LED芯粒与所述生长基板同时去除。