[发明专利]具有多个半导体器件的无衬底半导体器件组件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110623214.4 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113838822A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 劉鴻汶 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/065;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 彭晓文 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及具有多个半导体器件的无衬底半导体器件组件及其制造方法。一种半导体器件组件，包含：第一远程分布层RDL，该第一RDL包括半导体器件组件的下部最外侧平坦表面；第一半导体管芯，该第一半导体管芯通过第一多个互连件直接耦合到第一RDL的上表面；第二RDL，该第二RDL包括半导体器件组件的与下部最外侧平坦表面相对的上部最外侧平坦表面；第二半导体管芯，该第二半导体管芯通过第二多个互连件直接耦合到第二RDL的下表面；封装材料，该封装材料设置在第一RDL和第二RDL之间并且至少部分地封装第一半导体管芯和第二半导体管芯；以及第三多个互连件，该第三多个互连件在第一RDL的上表面和第二RDL的下表面之间完全延伸并与其直接耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半导体器件 衬底 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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