[发明专利]具有多个半导体器件的无衬底半导体器件组件及其制造方法在审
| 申请号: | 202110623214.4 | 申请日: | 2021-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN113838822A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
| 发明(设计)人: | 劉鴻汶 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/065;H01L25/18 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 彭晓文 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 半导体器件 衬底 组件 及其 制造 方法 | ||
本申请涉及具有多个半导体器件的无衬底半导体器件组件及其制造方法。一种半导体器件组件,包含:第一远程分布层RDL,该第一RDL包括半导体器件组件的下部最外侧平坦表面;第一半导体管芯,该第一半导体管芯通过第一多个互连件直接耦合到第一RDL的上表面;第二RDL,该第二RDL包括半导体器件组件的与下部最外侧平坦表面相对的上部最外侧平坦表面;第二半导体管芯,该第二半导体管芯通过第二多个互连件直接耦合到第二RDL的下表面;封装材料,该封装材料设置在第一RDL和第二RDL之间并且至少部分地封装第一半导体管芯和第二半导体管芯;以及第三多个互连件,该第三多个互连件在第一RDL的上表面和第二RDL的下表面之间完全延伸并与其直接耦合。
技术领域
本公开总体上涉及半导体器件组件,并且更具体地涉及具有多个半导体器件的无衬底半导体器件组件及其制造方法。
背景技术
微电子器件通常具有管芯(即芯片),该管芯包含具有高密度的非常小部件的集成电路。通常,管芯包含电耦合到集成电路的非常小的接合焊盘的阵列。接合焊盘是外部电触点,通过该外部电触点将电源电压、信号等传输到集成电路或从集成电路传输电源电压、信号等。在形成管芯之后,将它们“封装”以将接合焊盘耦合到更大的电端子阵列,该电端子阵列可以更容易地耦合到各种电源线、信号线和接地线。封装管芯的常规工艺包含将管芯上的接合焊盘电耦合到引线、球形焊盘或其他类型的电端子的阵列,并封装管芯以保护它们免受环境因素(例如,水分、微粒、静电和物理影响)。
发明内容
根据本申请的一个方面,提供了一种半导体器件组件。所述半导体器件组件包括:第一远程分布层(RDL),所述第一RDL包括所述半导体器件组件的下部最外侧平坦表面;第一半导体管芯,所述第一半导体管芯通过第一多个互连件直接耦合到所述第一RDL的上表面;第二RDL,所述第二RDL包括所述半导体器件组件的与所述下部最外侧平坦表面相对的上部最外侧平坦表面;第二半导体管芯,所述第二半导体管芯通过第二多个互连件直接耦合到所述第二RDL的下表面;封装材料,所述封装材料设置在所述第一RDL和所述第二RDL之间并且至少部分地封装所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯;以及第三多个互连件,所述第三多个互连件在所述第一RDL的所述上表面和所述第二RDL的所述下表面之间完全延伸并与其直接耦合。
根据本申请的另一方面,提供了一种制造半导体器件组件的方法。所述方法包括:形成第一远程分布层(RDL),所述第一远程分布层RDL包括多个外部焊盘、第一多个内部焊盘和第二多个内部焊盘;在所述第一RDL上方布置第一半导体器件,并且利用第一多个互连件将所述第一半导体器件的第一多个管芯触点电连接至所述第一多个内部焊盘;在所述第二多个内部焊盘上形成第二多个互连件;在所述第一半导体器件上方设置第二半导体器件;在所述第二半导体器件的第二多个管芯触点上形成第三多个互连件;用封装材料封装所述第一半导体器件和所述第二半导体器件以及所述第二多个互连件和所述第三多个互连件;平坦化所述封装材料以暴露所述第二多个互连件和所述第三多个互连件的共面表面;以及在所述密封材料上方形成第二RDL并电连接所述第二多个互连件和所述第三多个互连件中的对应互连件。
根据本申请的又一方面,提供了一种半导体器件组件。所述半导体器件组件包括:第一远程分布层(RDL),所述第一RDL包括所述半导体器件组件的下部最外侧平坦表面;一个或多个面朝下的半导体管芯,所述一个或多个面朝下的半导体管芯通过第一多个互连件耦合到所述第一RDL;第二RDL,所述第二RDL包括所述半导体器件组件的与所述下部最外侧平坦表面相对的上部最外侧平坦表面;一个或多个面朝上的半导体管芯,所述一个或多个面朝上的半导体管芯通过第二多个互连件耦合到所述第二RDL;封装材料,所述封装材料设置在所述第一RDL和所述第二RDL之间,并至少部分地封装所述一个或多个第一半导体管芯和所述一个或多个第二半导体管芯;以及第三多个互连件,所述第三多个互连件在所述第一RDL和所述第二RDL之间完全延伸并与其直接耦合。
附图说明
图1-12是示出根据本技术的实施例的半导体器件组件的一系列制造步骤的简化示意性剖视图。
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