[发明专利]具有多个半导体器件的无衬底半导体器件组件及其制造方法在审
| 申请号: | 202110623214.4 | 申请日: | 2021-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN113838822A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
| 发明(设计)人: | 劉鴻汶 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/065;H01L25/18 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 彭晓文 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 半导体器件 衬底 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件组件,包括:
第一远程分布层RDL,所述第一RDL包括所述半导体器件组件的下部最外侧平坦表面;
第一半导体管芯,所述第一半导体管芯通过第一多个互连件直接耦合到所述第一RDL的上表面;
第二RDL,所述第二RDL包括所述半导体器件组件的与所述下部最外侧平坦表面相对的上部最外侧平坦表面;
第二半导体管芯,所述第二半导体管芯通过第二多个互连件直接耦合到所述第二RDL的下表面;
封装材料,所述封装材料设置在所述第一RDL和所述第二RDL之间并且至少部分地封装所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯;以及
第三多个互连件,所述第三多个互连件在所述第一RDL的所述上表面和所述第二RDL的所述下表面之间完全延伸并与其直接耦合。
2.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中所述第一半导体管芯具有与所述第一多个互连件相对的第一背面,所述第二半导体管芯具有与所述第二多个互连件相对的第二背面,并且所述第一背面和所述第二背面通过粘合剂被耦合。
3.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中所述第二半导体管芯通过所述第二多个互连件、第二远程分布层和所述第三多个互连件电耦合到所述第一RDL。
4.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中所述上部最外侧平坦表面包括没有开口的电介质材料。
5.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中所述下部最外侧平坦表面包括具有多个开口的电介质材料,在所述多个开口中设置有对应的多个接合焊盘。
6.根据权利要求5所述的半导体器件组件,其中所述多个接合焊盘中的各个接合焊盘电连接至所述第一多个互连件、所述第三多个互连件或两者。
7.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中所述第二多个互连件中的各个互连件电连接至所述第三多个互连件中的对应各个互连件。
8.根据权利要求1所述的半导体器件组件,还包括在第二半导体器件和第二远程分布层之间的底部填充材料层。
9.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中所述第一多个互连件和所述第三多个互连件具有共面的下表面。
10.一种制造半导体器件组件的方法,包括:
形成第一远程分布层RDL,所述第一远程分布层RDL包括多个外部焊盘、第一多个内部焊盘和第二多个内部焊盘;
在所述第一RDL上方设置第一半导体器件,并且利用第一多个互连件将所述第一半导体器件的第一多个管芯触点电连接至所述第一多个内部焊盘;
在所述第二多个内部焊盘上形成第二多个互连件;
在所述第一半导体器件上方设置第二半导体器件;
在所述第二半导体器件的第二多个管芯触点上形成第三多个互连件;
用封装材料封装所述第一半导体器件和所述第二半导体器件以及所述第二多个互连件和所述第三多个互连件;
平坦化所述封装材料以暴露所述第二多个互连件和所述第三多个互连件的共面表面;以及
在所述密封材料上方形成第二RDL并电连接所述第二多个互连件和所述第三多个互连件中的对应互连件。
11.根据权利要求10所述的方法,其中形成所述第一RDL包括在所述多个外部焊盘与所述第一多个内部焊盘和所述第二多个内部焊盘之间形成多个电介质层和多个电连接特征。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述第一RDL形成在载体晶片上方。
13.根据权利要求12所述的方法,进一步包括:
从第一重新分布层去除所述载体晶片。
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