[发明专利]一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110608381.1 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113488588B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 王燕;吕子玉;程厚义;张悦;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院） |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 周静 |
| 地址： | 230013 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器及其制备方法，该忆阻器的存储介质层由自组装异质结材料制备而成；自组装异质结材料包括钙钛矿量子点和二维纳米材料，其制备方法为：分别配置二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液，将二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液混合后进行超声处理，通过超声诱导零维量子点材料在二维纳米材料上自组装，最后通过旋涂制得。本发明利用自组装异质结材料中非共价键的弱相互作用，对导电细丝的形成或断裂行为进行物理约束，从而实现电压控制的忆阻器，同时异质结结构材料中较长的电流衰减时间，进一步降低了器件的工作能耗，提高了忆阻器的功能性和实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组装 异质结 材料 作为 存储 介质 构建 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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