[发明专利]一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器，其特征在于：所述忆阻器的存储介质层由自组装异质结材料制备而成；所述自组装异质结材料包括零维量子点材料和二维纳米材料，其制备方法如下：

配置二维纳米材料分散液；配置零维量子点材料分散液；将二维纳米材料分散液和零维量子点材料分散液混合后进行超声处理，通过超声诱导零维量子点材料在二维纳米材料上自组装，从而制备得到含有自组装异质结材料的分散液；最后将含有自组装异质结材料的分散液旋涂在基底上，经过烘干即制得；

所述零维量子点材料包括CsPbI₃、CsPbCl₃、CsPbBr₃中的至少一种；所述二维纳米材料为黑磷纳米片。

2.根据权利要求1所述的由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器，其特征在于：所述忆阻器为垂直结构，包括自下而上依次设置的基底、底部电极、存储介质层和顶部电极。

3.根据权利要求2所述的由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器，其特征在于：所述基底为表面负载有SiO₂的硅片、纸、玻璃片、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种；所述底部电极和顶部电极以导电电极材料制备，所述导电电极材料为金属、氧化铟锡、掺氟氧化锡或铝掺杂氧化锌中的一种。

4.如权利要求2或3所述的由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

含有底部电极的基底经过清洗、干燥后备用；

将含有自组装异质结材料的分散液旋涂在底部电极表面，烘干后在底部电极上得到由自组装异质结材料制成的存储介质层；

在存储介质层上制备顶部电极，得到忆阻器。

5.根据权利要求1所述的由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器，其特征在于：所述忆阻器为水平结构，包括位于底部的基底，所述基底的顶部设有一对水平电极和存储介质层；所述存储介质层位于两个水平电极之间。

6.根据权利要求5所述的由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器，其特征在于：所述基底为表面负载有SiO₂的硅片、纸、玻璃片、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种；所述水平电极以导电电极材料制备，所述导电电极材料为金属、氧化铟锡、掺氟氧化锡或铝掺杂氧化锌中的一种。

7.如权利要求5或6所述的由自组装异质结材料作为存储介质层构建的忆阻器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

基底经过清洗、干燥后备用；

将含有自组装异质结材料的分散液旋涂在基底表面，烘干后在基底上得到由自组装异质结材料制成的存储介质层；

在存储介质层上制备双端电极，得到忆阻器。