[发明专利]一种半导体可饱和吸收体锁模装置在审
申请号: | 202110599372.0 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113572011A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 龙跃金;胡江民 | 申请(专利权)人: | 光越科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01S3/098 | 分类号: | H01S3/098;H01S3/04 |
代理公司: | 深圳市徽正知识产权代理有限公司 44405 | 代理人: | 卢杏艳 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道桂香社区观*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体可饱和吸收体锁模装置,包括具有一内腔的壳体,所述壳体左侧的第一通孔内密封固定有光斑聚焦装置,所述壳体右侧的第二通孔内密封固定有无磁隔板,从而使所述内腔形成为密封空间,所述无磁隔板的左右两侧上分别紧贴有第一永磁体、第二永磁体,所述第一永磁体远离无磁隔板的一侧固定连接热沉,所述热沉远离第一永磁体的一侧固定连接半导体可饱和吸收体元件,所述半导体可饱和吸收体元件远离热沉的一侧固定连接透光导热盖板,所述第一永磁体与第二永磁体通过磁力吸附实现磁力随动;避免半导体可饱和吸收体直接暴露在激光聚焦焦斑中,可切换点是二维的且无盲点,换点操作简单,有利于提高装置可靠性及使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 饱和 吸收体 装置 | ||
【主权项】:
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