[发明专利]一种半导体可饱和吸收体锁模装置在审

专利信息
申请号: 202110599372.0 申请日: 2021-05-31
公开(公告)号: CN113572011A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 龙跃金;胡江民 申请(专利权)人: 光越科技(深圳)有限公司
主分类号: H01S3/098 分类号: H01S3/098;H01S3/04
代理公司: 深圳市徽正知识产权代理有限公司 44405 代理人: 卢杏艳
地址: 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道桂香社区观*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 饱和 吸收体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,包括具有一内腔(11)的壳体(1),所述壳体(1)左侧的第一通孔(12)内密封固定有光斑聚焦装置(2),所述壳体(1)右侧的第二通孔(13)内密封固定有无磁隔板(6),从而使所述内腔(11)形成为密封空间,所述无磁隔板(6)的左右两侧上分别紧贴有第一永磁体(61)、第二永磁体(62),所述第一永磁体(61)远离无磁隔板(6)的一侧固定连接热沉(5),所述热沉(5)远离第一永磁体(61)的一侧固定连接半导体可饱和吸收体元件(4),所述半导体可饱和吸收体元件(4)远离热沉(5)的一侧固定连接透光导热盖板(3),所述第一永磁体(61)与第二永磁体(62)通过磁力吸附实现磁力随动。

2.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述光斑聚焦装置(2)与半导体可饱和吸收体元件(4)平行设置。

3.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述第一永磁体(61)、第二永磁体(62)均为具有一定厚度的钕铁硼或钐钴合金永磁片,所述第一永磁体(61)与第二永磁体(62)相互靠近的一侧的磁极相反使两者均紧贴所述无磁隔板(6)。

4.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述透光导热盖板(3)采用热导率不低于5W/(m·K)且对工作光波长透过率不低于60%的光学材料制成,所述透光导热盖板(3)的左右两侧镀制有增透膜,所述光学材料包括蓝宝石、红宝石、氮化硅、单晶硅中的一种。

5.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述热沉(5)远离第一永磁体(61)的一侧通过导热胶粘接固定连接所述半导体可饱和吸收体元件(4)。

6.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述热沉(5)的左右两侧上分别设有凹槽,所述半导体可饱和吸收体元件(4)、第一永磁体(61)分别容纳固定在所述凹槽内。

7.根据权利要求要求6所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述半导体可饱和吸收体元件(4)、第一永磁体(61)的高度大于所述凹槽的高度。

8.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述透光导热盖板(3)、无磁隔板(6)的左右两侧均采用平面抛光工艺处理,使两侧表面具有良好的平面度。

9.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述无磁隔板(6)采用陶瓷、无磁不锈钢或熔融石英制成。

10.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述第二永磁体(62)远离无磁隔板(6)的一侧固定连接有用于驱动第二永磁体(62)上下、左右移动、旋转的机械推动装置或电控推动装置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光越科技(深圳)有限公司,未经光越科技(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110599372.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top