[发明专利]一种半导体可饱和吸收体锁模装置在审
申请号: | 202110599372.0 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN113572011A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 龙跃金;胡江民 | 申请(专利权)人: | 光越科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01S3/098 | 分类号: | H01S3/098;H01S3/04 |
代理公司: | 深圳市徽正知识产权代理有限公司 44405 | 代理人: | 卢杏艳 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道桂香社区观*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 饱和 吸收体 装置 | ||
1.一种半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,包括具有一内腔(11)的壳体(1),所述壳体(1)左侧的第一通孔(12)内密封固定有光斑聚焦装置(2),所述壳体(1)右侧的第二通孔(13)内密封固定有无磁隔板(6),从而使所述内腔(11)形成为密封空间,所述无磁隔板(6)的左右两侧上分别紧贴有第一永磁体(61)、第二永磁体(62),所述第一永磁体(61)远离无磁隔板(6)的一侧固定连接热沉(5),所述热沉(5)远离第一永磁体(61)的一侧固定连接半导体可饱和吸收体元件(4),所述半导体可饱和吸收体元件(4)远离热沉(5)的一侧固定连接透光导热盖板(3),所述第一永磁体(61)与第二永磁体(62)通过磁力吸附实现磁力随动。
2.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述光斑聚焦装置(2)与半导体可饱和吸收体元件(4)平行设置。
3.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述第一永磁体(61)、第二永磁体(62)均为具有一定厚度的钕铁硼或钐钴合金永磁片,所述第一永磁体(61)与第二永磁体(62)相互靠近的一侧的磁极相反使两者均紧贴所述无磁隔板(6)。
4.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述透光导热盖板(3)采用热导率不低于5W/(m·K)且对工作光波长透过率不低于60%的光学材料制成,所述透光导热盖板(3)的左右两侧镀制有增透膜,所述光学材料包括蓝宝石、红宝石、氮化硅、单晶硅中的一种。
5.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述热沉(5)远离第一永磁体(61)的一侧通过导热胶粘接固定连接所述半导体可饱和吸收体元件(4)。
6.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述热沉(5)的左右两侧上分别设有凹槽,所述半导体可饱和吸收体元件(4)、第一永磁体(61)分别容纳固定在所述凹槽内。
7.根据权利要求要求6所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述半导体可饱和吸收体元件(4)、第一永磁体(61)的高度大于所述凹槽的高度。
8.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述透光导热盖板(3)、无磁隔板(6)的左右两侧均采用平面抛光工艺处理,使两侧表面具有良好的平面度。
9.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述无磁隔板(6)采用陶瓷、无磁不锈钢或熔融石英制成。
10.根据权利要求要求1所述半导体可饱和吸收体锁模装置,其特征在于,所述第二永磁体(62)远离无磁隔板(6)的一侧固定连接有用于驱动第二永磁体(62)上下、左右移动、旋转的机械推动装置或电控推动装置。
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